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J-GLOBAL ID：201502256119181686   整理番号：15A0600601

pチャネル電力U-MOSFETのNBTIの物理的機構におよぼすバイアスおよび温度条件の影響

Influence of bias and temperature conditions on NBTI physical mechanisms in p-channel power U-MOSFETs

著者 (6件)： TALLARICO Andrea Natale (Univ. Bologna, Cesena, ITA) ,  MAGNONE Paolo (Univ. Padova, Vicenza, ITA) ,  BARLETTA Giacomo (STMicroelectronics, Catania, ITA) ,  MAGRI Angelo (STMicroelectronics, Catania, ITA) ,  SANGIORGI Enrico (Univ. Bologna, Cesena, ITA) ,  FIEGNA Claudio (Univ. Bologna, Cesena, ITA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 108  ページ： 42-46  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *MOSFET ,  *不安定性 ,  ゲート【半導体】 ,  *電圧変動 ,  キャリア捕獲 ,  表面準位 ,  機構 ,  温度依存性 ,  回復 ,  バイアス
準シソーラス用語： *NBTI ,  *pチャネルMOSFET ,  トレンチゲート ,  電荷トラップ ,  発生機構 ,  *閾値電圧シフト

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： チャネル ,  NBTI ,  物理 ,  バイアス ,  温度条件