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J-GLOBAL ID：201502256401882735   整理番号：14A1433159

電流応力印加下での非対称Cu/Sn-58Bi/Cu半田付け配線のエレクトロマイグレーション誘起ミクロ組織変化と損傷

Electromigration induced microstructure evolution and damage in asymmetric Cu/Sn-58Bi/Cu solder interconnect under current stressing

著者 (5件)： Yue Wu (School of Materials Sci. and Engineering, South China Univ. of Technol., Guangzhou) ,  Qin Hongbo (School of Materials Sci. and Engineering, South China Univ. of Technol., Guangzhou) ,  Zhou Minbo (School of Materials Sci. and Engineering, South China Univ. of Technol., Guangzhou) ,  Ma Xiao (School of Materials Sci. and Engineering, South China Univ. of Technol., Guangzhou) ,  Zhang Xinping (School of Materials Sci. and Engineering, South China Univ. of Technol., Guangzhou)
資料名： Transactions of Nonferrous Metals Society of China  (Transactions of Nonferrous Metals Society of China)
巻： 24  号： 5  ページ： 1619-1628  発行年： 2014年 
JST資料番号： W0396A  ISSN： 1003-6326  CODEN： TNMCEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現場SEM観察法,集束イオンビーム(FIB)微量分析法,および有限要素(FE)シミュレーション法を使って非対称Cu/Sn-58Bi/Cu半田付け配線のエレクトロマイグレーション誘起のミクロ組織変化と損傷を研究した。SEM観察結果から,エレクトロマイグレーション誘起のミクロ組織の局所的劣化,即ち,Biリッチ相の偏析と微小亀裂の形成が,非対称半田付け配線では対称のものと比べてはるかに厳しいことがわかった。FIB-SEM微量分析結果から,電子の異なる流れ経路に沿った電気抵抗の微小領域での不均一性が,不均一な電流分布とその結果としてのエレクトロマイグレーション損傷をもたらす主要因であることがわかった。理論解析結果とFEシミュレーション結果から,非対称半田付け配線の電気抵抗がより小さい局所部では電流クラウディングが容易に発生することがわかった。全ての結果から,半田付け配線の非対称形態が異なる微小領域間で電気抵抗の差異をもたらせ,更に,激しいエレクトロマイグレーション損傷をもたらせることがわかった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： ビスマス合金 ,  *エレクトロマイグレーション ,  発展 ,  電子構造 ,  異性体 ,  はんだ付 ,  計算機シミュレーション ,  シミュレーション ,  集束イオンビーム ,  こみあい効果 ,  微量分析 ,  解析 ,  電気抵抗
準シソーラス用語： ミクロ組織変化 ,  FEシミュレーション ,  シミュレーション法 ,  クラウディング ,  理論解析

分類 (1件)： 機械的性質  (WB02030U)

タイトルに関連する用語 (10件)： 応力 ,  印加 ,  非対称 ,  Cu ,  Sn ,  半田付け ,  エレクトロマイグレーション ,  誘起 ,  ミクロ組織変化 ,  損傷