文献

J-GLOBAL ID：201502256449315743   整理番号：15A0527766

Ti:サファイアfsレーザによるシリコン中の斜めきりもみ加工

Oblique Drilling by Ti:sapphire fs Laser in Silicon

著者 (4件)： GARDIAN Anett (Univ. Szeged, Szeged, HUN) ,  BUDAI Judit (Univ. Szeged, Szeged, HUN) ,  FUELE Miklos (Univ. Szeged, Szeged, HUN) ,  TOTH Zsolt (Univ. Szeged, Szeged, HUN)
資料名： Journal of Laser Micro/Nanoengineering (Web)  (Journal of Laser Micro/Nanoengineering (Web))
巻： 10  号： 1  ページ： 81-86 (WEB ONLY)  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： U0377A  ISSN： 1880-0688  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フェムト秒レーザアブレーションはほとんどの固体材料の場合に鋭いエッジと高アスペクト比のホールをもたらします。本研究では,斜めきりもみ加工は,高熱伝導性材料においてさえ斜照射によって斜めきりもみ加工が可能であることを示す。Ti:サファイアレーザの入射レーザパルスの数と角度を変えることにシリコン上の実験を行った。斜めホールの生成の3つの相が区別されて,説明された:1.円錐のようなホールはレーザ照射の向きによって形成されます。2.ホールの下部は拡大される。3.切断ホールの形状は筒状になります。内壁からの反射はホールの形状に対して影響することが示された。ホール形成について説明するために円錐と筒状ホールにおけるエネルギー分布を計算する2つのモデルがセットアップされた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フェムト秒レーザ ,  *サファイアレーザ ,  *ケイ素 ,  半導体 ,  *レーザ加工 ,  レーザアブレーション ,  細孔 ,  *穴あけ ,  入射 ,  エネルギー分布 ,  モデリング
準シソーラス用語： 錐揉み ,  斜め入射

分類 (1件)： 特殊加工  (QC04000Y)

引用文献 (16件)：

• B.N. Chichkov, C. Momma, S. Nolte, F. von Alvensleben and A. Tünnermann: Appl. Phys. A 63, (1996) 109.
• A. Semerok, C. Chaleard, V. Detalle, J.-L. Lacour, P. Mauchien, P. Meynadier, C. Nouvellon, B. Salle, P. Palianov, M. Perdrix and G. Petite: Appl. Surf. Sci., 138-139, (1999) 311.
• R. Le Harzic, N. Huot, E. Audouard, C. Jonin, P. Laporte, S. Valette, A. Fraczkiewicz and R. Fortunier: Appl. Phys. Lett., 80, (2002) 3886.
• S. Karimelahi, L. Abolghasemi, P.R. Herman: Appl. Phys. A 114, (2014) 91.
• S. Döring, S. Richter, H. Heisler, T. Ullsperger, A. Tünnermann and S. Nolte: Appl. Phys. A, 112, (2013) 623.

タイトルに関連する用語 (5件)： Ti ,  サファイア ,  レーザ ,  シリコン ,  きりもみ