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J-GLOBAL ID：201502256509795731   整理番号：15A0684595

ナノメータプロセス下でのMOSFETにおけるリーク電流に関する検討と基準回路への適用

Study and Application of Leakage Currents in MOSFET Under Nanometer Process to Reference Circuits

著者 (4件)： XU Zhentao (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  GAO Baoling (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  LIU Yang (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  YU Qi (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN)
資料名： Nanoscience and Nanotechnology Letters  (Nanoscience and Nanotechnology Letters)
巻： 7  号： 3  ページ： 281-286  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： W2373A  ISSN： 1941-4900  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電子システムにおいて最も重要なモジュールの1つである基準回路(電圧基準回路及び電流基準回路を含む)は,温度および電源電圧の変動に対して感度が低くなければならない。これを100°C以上の温度まで評価するためには,抵抗の温度係数を詳細に調べる必要がある。そこで,本論文では,ナノスケールのMOSFETにおける主なリーク電流が温度の高次の関数であるという解析結果をもとに,2次の温度係数を補償する基準回路を設計した。180nmの標準CMOSプロセスで設計した基準回路をシミュレーションにより評価した結果,-40°C~120°Cの広い温度範囲と0.9V~2.4Vの広い電源電圧範囲で安定的に動作することを確認した。

シソーラス用語： *電気回路 ,  *漏れ電流 ,  ナノテクノロジー ,  *温度係数 ,  MOSFET ,  半導体プロセス ,  電圧 ,  シミュレーション
準シソーラス用語： CMOSプロセス ,  シミュレーション実験 ,  ナノメータテクノロジー ,  *リーク電流 ,  *基準回路 ,  *抵抗の温度係数 ,  電源電圧

分類 (2件)： その他の電子回路  (NC05090X) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ナノメータ ,  プロセス ,  MOSFET ,  リーク電流 ,  基準回路