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J-GLOBAL ID：201502256596447248   整理番号：15A0701370

高易動度で安定な1200V,150A 4H-SiC DMOSFETの高電流密度過渡条件下における長期信頼性

High-Mobility Stable 1200-V, 150-A 4H-SiC DMOSFET Long-Term Reliability Analysis Under High Current Density Transient Conditions

著者 (9件)： SCHROCK James A. (Texas Tech Univ., TX, USA) ,  RAY William B., II (Texas Tech Univ., TX, USA) ,  LAWSON Kevin (Texas Tech Univ., TX, USA) ,  BILBAO Argenis (Texas Tech Univ., TX, USA) ,  BAYNE Stephen B. (Texas Tech Univ., TX, USA) ,  HOLT Shad L. (Texas Tech Univ., TX, USA) ,  CHENG Lin (Cree, Inc., NC, USA) ,  PALMOUR John W. (Cree, Inc., NC, USA) ,  SCOZZIE Charles (Army Res. Lab., MD, USA)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 30  号： 6  ページ： 2891-2895  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiCは,その特徴的な広いバンドギャップ,優れた熱伝導,高いオン抵抗を生む高い臨界電界,および高い飽和電子ドリフト速度のため,高エネルギー密度エレクトロニクス用に期待されている。耐圧1200VのSiC DMOSFETは既に作製されているが,パワーエレクトロニクスで広く使われるには,高ストレスの過渡電流および高温における長期間の信頼性がまだ検証されていない。本論文では,40mm²の伝導面積を持ち1200V-150A定格のSiC DMOSFETを,1500A/cm²以上の電流密度となるスイッチング過渡電流下で試験し,大パワー応用に十分ロバスト性のある長期信頼性を示した。

シソーラス用語： 移動度 ,  安定化 ,  *炭化ケイ素 ,  *MOSFET ,  *電流密度 ,  *信頼性 ,  過渡現象 ,  バンドギャップ ,  熱伝導 ,  オン抵抗 ,  パワーエレクトロニクス ,  エネルギー密度 ,  電流
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  *LDMOSFET ,  スイッチング過渡現象 ,  スイッチング電流 ,  過渡電流 ,  *長期信頼性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 易動度 ,  4H-SiC ,  DMOSFET ,  高電流密度 ,  長期信頼性