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J-GLOBAL ID：201502256662897578   整理番号：15A0642707

ガラスリフロープロセスを用いたウエハレベルガラス埋め込み高アスペクト比受動部品の調整

PREPARATION OF WAFER LEVEL GLASS-EMBEDDED HIGH-ASPECT-RATIO PASSIVES USING A GLASS REFLOW PROCESS

著者 (3件)： MA Mengying (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  SHANG Jintang (Southeast Univ., Nanjing, CHN) ,  LUO Bin (Southeast Univ., Nanjing, CHN)
資料名： Technical Digest. IEEE Micro Electro Mechanical Systems  (Technical Digest. IEEE Micro Electro Mechanical Systems)
巻： 28th Vol.1  ページ： 427-430  発行年： 2015年 
JST資料番号： W0377A  ISSN： 1084-6999  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,MEMS/ICパッケージングのための,高アスペクト比受動部品のガラスリフロープロセスに基づく新しい製造技術を実証した。ここでは,ガラス埋め込み高アスペクト比受動部品の,設計,製作,および特性評価の完全なセットを提供した。高アスペクト比受動部品を,ガラスリフロープロセスにより成功裏に調整した。高ドープシリコンと銅を,其々,ガラス基板に埋め込んだ受動部品のための導体材料として用いた。HFSSシミュレーションは,受動部品厚さが唯一可変である時,厚さが増加するとLが同時に小さく減少する一方Qが大きく増加する,ことを示した。かくして,著者らは,厚さを,対応するLを大きく変化しないで必要なQを得るための,ガラス埋め込み受動部品の余分の設計パラメータとして取ることができた。

シソーラス用語： *リフロソルダリング ,  *ガラス ,  アスペクト比 ,  回路部品 ,  MEMS ,  集積回路 ,  生産技術 ,  キャラクタリゼーション ,  ケイ素 ,  銅 ,  導体材料 ,  応用プログラム ,  計算機シミュレーション ,  パラメータ
準シソーラス用語： HFSS ,  パッケージング ,  高アスペクト比 ,  *受動部品 ,  設計パラメータ

分類 (1件)： ガラス・セラミック被覆一般  (YC02010D)

タイトルに関連する用語 (6件)： ガラス ,  リフロープロセス ,  ウエハレベル ,  埋め込み ,  高アスペクト比 ,  受動部品