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J-GLOBAL ID：201502256699990993   整理番号：15A0221204

高応答性と高感度のグラフェンドット/a-IGZO薄膜フォトトランジスタ

High-Responsivity and High-Sensitivity Graphene Dots/a-IGZO Thin-Film Phototransistor

著者 (5件)： PEI Zingway (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  LAI Hsin-Cheng (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  WANG Jian-Yu (National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN) ,  CHIANG Wei-Hung (National Taiwan Univ. Sci. and Technol., Taipei, TWN) ,  CHEN Chien-Hsun (Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 36  号： 1  ページ： 44-46  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェンは高電界効果移動度を持ち,次世代のオプトエレクトロニクスやエレクトロニクスデバイス用の材料として期待されている。しかし,グラフェンの利点を使うためには数層を使う必要があり,このため光吸収性が非常に小さい。酸化亜鉛(ZnO)量子ドットをグラフェン層上に被覆することにより深紫外線検出力が増す。本稿では,入射光を検出するフォトトランジスタ用の吸収材料として溶液処理した自己封止グラフェンドットを提案した。a-IGZOをチャネル材料として採用した。500nmの可視光下で10A/Wの応答性と1000光暗電流比が達成された。フォトトランジスタを使用することにより,光電流は2700倍以上増加した。

シソーラス用語： *フォトトランジスタ ,  薄膜トランジスタ ,  *炭素材 ,  キャリア移動度 ,  応答特性 ,  高感度 ,  酸化亜鉛 ,  量子ドット ,  *ガリウム化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *酸化インジウム ,  処理 ,  溶液 ,  光電流 ,  *グラフェン ,  電界効果移動度 ,  溶液処理 ,  *酸化インジウム・ガリウム・亜鉛
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  応答性

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 応答性 ,  高感度 ,  IGZO ,  薄膜 ,  フォトトランジスタ