HIGASHI H. について
Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN について
KASAHARA K. について
Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN について
KUDO K. について
Kumamoto National Coll. of Technol., 2659-2 Suya, Koshi, Kumamoto 861-1102, JPN について
OKAMOTO H. について
Kumamoto National Coll. of Technol., 2659-2 Suya, Koshi, Kumamoto 861-1102, JPN について
MOTO K. について
Kumamoto National Coll. of Technol., 2659-2 Suya, Koshi, Kumamoto 861-1102, JPN について
PARK J.-h. について
Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN について
YAMADA S. について
Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN について
KANASHIMA T. について
Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN について
MIYAO M. について
Dep. of Electronics, Kyushu Univ., 744 Motooka, Fukuoka 819-0395, JPN について
TSUNODA I. について
Kumamoto National Coll. of Technol., 2659-2 Suya, Koshi, Kumamoto 861-1102, JPN について
HAMAYA K. について
Graduate School of Engineering Sci., Osaka Univ., Toyonaka, Osaka 560-8531, JPN について
Applied Physics Letters について
単結晶 について
ゲルマニウム について
柔軟性 について
固体素子 について
半導体薄膜 について
結晶化 について
非晶質半導体 について
金 について
薄膜トランジスタ について
金属誘起結晶化 について
電子素子 について
電子デバイス について
固体デバイス製造技術一般 について
エレクトロニクス について
単結晶 について
ゲルマニウム について