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J-GLOBAL ID：201502258165987957   整理番号：15A0512436

Siダブルゲート無接合トランジスタにおける表面粗さと不純物散乱の効果の計算研究

Computational Study of Effects of Surface Roughness and Impurity Scattering in Si Double-Gate Junctionless Transistors

著者 (7件)： ICHII Masato (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  ISHIDA Ryoma (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  TSUCHIYA Hideaki (Kobe Univ., Kobe, JPN) ,  TSUCHIYA Hideaki (JST-CREST, Tokyo, JPN) ,  KAMAKURA Yoshinari ,  MORI Nobuya ,  OGAWA Matsuto (Kobe Univ., Kobe, JPN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 4  ページ： 1255-1261  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 無接合トランジスタ(JLT)はp-n接合が無いためにドーピング技術とサーマルバジェットが緩和される。JLTはバルク伝導を使うので表面散乱や高k表面フォノン散乱による移動度低下を最少にできる。だが,JLTの動作原理から高ドーピング濃度を要するのでイオン化不純物(II)散乱による性能低下が危惧される。SiダブルゲートJLTにおける電子輸送を音響フォノン,インターバレーフォノン,II散乱,表面粗さ(SR)散乱を考慮したマルチサブバンドモンテカルロ法でシミュレーションした。JLTはSR散乱による移動度低下を最少化して電流駆動を改善できる。一方II散乱は電流駆動力を通常のMOSFETよりもおとすことが確認された。しかしながら,II散乱によるJLTの性能低下は,フリーキャリアのスクリーン効果と高速キャリアの前方散乱特性によって大きくないことが分かった。そして,スクリーン効果と前方散乱特性はゲート電圧増加でより一層II散乱を緩和する。

シソーラス用語： 係数 ,  キャリア散乱 ,  モンテカルロ法 ,  表面粗さ ,  *表面散乱 ,  散乱 ,  輸送現象 ,  シミュレーション ,  *移動度 ,  素子構造
準シソーラス用語： ダブルゲート ,  フォノン散乱 ,  後方散乱係数 ,  電子輸送 ,  *不純物散乱 ,  *無接合トランジスタ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： Si ,  ダブルゲート ,  接合トランジスタ ,  表面粗さ ,  不純物散乱 ,  計算 ,  研究