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J-GLOBAL ID：201502260136763190   整理番号：15A0734302

メタモルフィックIn_xAl_1-xAsに基づく歪み緩和の緩衝技術

Strain-relaxed buffer technology based on metamorphic In Al_1- As

著者 (7件)： LOKE Wan Khai (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ. (NTU), Nanyang Avenue, Singapore ...) ,  TAN Kian Hua (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ. (NTU), Nanyang Avenue, Singapore ...) ,  WICAKSONO Satrio (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ. (NTU), Nanyang Avenue, Singapore ...) ,  YOON Soon Fatt (School of Electrical and Electronic Engineering, Nanyang Technological Univ. (NTU), Nanyang Avenue, Singapore ...) ,  WANG Wei (Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore (NUS), Singapore, Singapore 117576) ,  ZHOU Qian (Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore (NUS), Singapore, Singapore 117576) ,  YEO Yee-Chia (Dep. of Electrical and Computer Engineering, National Univ. of Singapore (NUS), Singapore, Singapore 117576)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 424  ページ： 68-76  発行年： 2015年08月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,完全に緩和した状態に近いIn_xAl_1-xAsを生み出すための歪み緩和バッファ層(SRB)技術を報告する。In_xAl_1-xAs層は,x=0.05から0.21まで直線的な組成傾斜を有する。ここでは,In_xAl_1-xAs層の歪み緩和と表面の形態に対する成長温度の影響を研究した。歪み緩和を研究するために,In_xAl_1-xAsの残留歪みを,2つの直交する<110>方向に沿った(004)および(224)の逆格子空間マップで測定した。原子間力顕微鏡を用いて,成長温度に伴う表面の粗さの変化を研究した。逆勾配を持つ層を採用した場合,In_xAl_1-xAsの表面層に関する平均ひずみ緩和は99.2%,表面の粗さの2乗平均平方根(RMS)は1.46nm,そしてエピタキシャル層の小さな傾斜は0.2°であることが分かった。残留歪みは異方的で,[<span style=text-decoration:overline>1</span>10]方向の残留歪みは+0.27%,そして[110]方向の残留歪みは-0.27%であることが分かった。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 緩和現象 ,  *バッファ層 ,  アルミニウム化合物 ,  インジウム化合物 ,  *ヒ化物 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  *基板温度 ,  *残留歪 ,  表面粗さ ,  結晶方位 ,  表層 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *MBE成長 ,  *格子歪 ,  *格子不整合 ,  傾斜角
準シソーラス用語： チルト角 ,  *ヒ化アルミニウムインジウム ,  表面形態 ,  表面層 ,  歪緩和

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： 歪み緩和 ,  緩衝