文献

J-GLOBAL ID：201502260711738232   整理番号：15A0228376

マグネトロンスパッタリングにより成長したGe/Si(100)エピタキシャル膜に対する周期的熱アニール

Cyclic thermal annealing on Ge/Si(100) epitaxial films grown by magnetron sputtering

著者 (5件)： LIU Ziheng (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, Univ. of New South Wales, NSW 2052, Sydney, AUS) ,  HAO Xiaojing (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, Univ. of New South Wales, NSW 2052, Sydney, AUS) ,  HO-BAILLIE Anita (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, Univ. of New South Wales, NSW 2052, Sydney, AUS) ,  TSAO Chao-yang (Dep. of Optics and Photonics, National Central Univ., 320 Chung-Li, Taiwan) ,  GREEN Martin A. (School of Photovoltaic and Renewable Energy Engineering, Univ. of New South Wales, NSW 2052, Sydney, AUS)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 574  ページ： 99-102  発行年： 2015年01月01日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,低コストかつ大規模生産に適した安全な方法であるマグネトロンスパッタを使用して,Si上のGeエピタキシャル成長を達成した。300°Cの低い堆積温度で,0.48nmのRMS粗さを有する滑らかな表面を得た。2桁まで貫通転位密度(TDD)を低減したGe膜に周期的熱処理を適用した。Ge膜中の面内歪みは,SiとGe間の熱膨張係数の不一致により,アニール後,圧縮から引っ張りに変化した。界面における面欠陥中の転位ループの形成及び転位の解離を明らかにするため,TDD減少のメカニズムについて調べた。著者等は,Si上のGeエピタキシャル膜が,III-V族の高効率太陽電池製造のための仮想基板として適当であることを示唆した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： マグネトロンスパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  *ゲルマニウム ,  基板 ,  ケイ素 ,  *半導体薄膜 ,  表面粗さ ,  *熱処理 ,  *転位密度 ,  ヘテロエピタクシー ,  *残留歪 ,  転位ループ ,  太陽電池
準シソーラス用語： 周期的熱処理 ,  貫通転位密度

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： マグネトロンスパッタリング ,  成長 ,  Ge ,  Si ,  エピタキシャル膜 ,  熱アニール