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J-GLOBAL ID：201502260744643636   整理番号：15A0556422

(110)Si上のエピタキシャルNi-シリサイドナノ接合周期アレイの作製及び評価

Fabrication and characterization of periodic arrays of epitaxial Ni-silicide nanocontacts on (110)Si

著者 (4件)： CHENG S.L. (Dep. of Chemical and Materials Engineering, National Central Univ., Chung-Li City, Taoyuan, Taiwan, TWN) ,  CHANG L.H. (Dep. of Chemical and Materials Engineering, National Central Univ., Chung-Li City, Taoyuan, Taiwan, TWN) ,  CHUANG C.F. (Dep. of Chemical and Materials Engineering, National Central Univ., Chung-Li City, Taoyuan, Taiwan, TWN) ,  CHEN H. (Dep. of Chemical and Materials Engineering, National Central Univ., Chung-Li City, Taoyuan, Taiwan, TWN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 343  ページ： 88-93  発行年： 2015年07月15日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (110)Si基板上の周期的Ni及びNi-シリサイドナノ接合アレイの作製及び評価を報告した。透過型電子顕微鏡及び制限視野回折の分析から,エピタキシャルNiSi₂は300°Cでの低温アニール後ナノスケールのNi接合/(110)Si試料中に形成される最初で唯一のシリサイド相であり,ナノスケールNi接合が(110)Si上のNiSi₂相のエピタキシャル成長にとってより好ましいことが分かった。エピタキシャルNiSi₂ナノ接合と(110)Si基板の間の配向関係は[110]NiSi₂//[110]Si及び(-11-1)NiSi₂//(-11-1)Siと同定された。高温でアニールした試料に対しては(110)Si上に形成された全てのエピタキシャルNiSi₂ナノ接合の形は異方性で,結晶学的な(1-10)方向に沿って延びていた。これらの観測結果はNiナノ接合のより大きな表面積/体積比及び他の方向よりも(110)方向に沿ったより速い成長速度に帰すことができた。ナノ接合のサイズ及び周期性はコロイド状ナノ球テンプレートの直径を調整することにより容易に制御できた。ここで提案した自己集合法は他の規則性の高い金属シリサイドアレイを作製する可能性を提供し,シリサイドを基にしたナノデバイス作製への応用も可能にするであろう。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ケイ素 ,  基板 ,  *ケイ化物 ,  *ニッケル化合物 ,  *エピタクシー ,  ニッケル ,  周期構造 ,  *接合 ,  優先配向 ,  *自己集合 ,  リソグラフィー ,  パターン形成 ,  半導体金属接合
準シソーラス用語： *ケイ化ニッケル ,  ナノ球リソグラフィー ,  *ナノ接合

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (9件)： Si ,  エピタキシャル ,  Ni ,  シリサイド ,  ナノ接合 ,  周期 ,  アレイ ,  作製 ,  評価