文献

J-GLOBAL ID：201502261123893457   整理番号：15A0145850

薄膜共形性分析用の微視的Siに基づく横型高アスペクト比構造

Microscopic silicon-based lateral high-aspect-ratio structures for thin film conformality analysis

著者 (3件)： GAO Feng (VTT Technical Res. Centre of Finland, Tietotie 3, 02044 Espoo, FIN) ,  ARPIAINEN Sanna (VTT Technical Res. Centre of Finland, Tietotie 3, 02044 Espoo, FIN) ,  PUURUNEN Riikka L. (VTT Technical Res. Centre of Finland, Tietotie 3, 02044 Espoo, FIN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 33  号： 1  ページ： 010601-010601-5  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 薄膜の共形性は原子層堆積(ALD)工程における主要な関心事の一つである。本研究では,ALDや他の化学蒸着法で堆積させた薄膜の共形性を分析するためのSiに基づく新しい微視的く横型高アスペクト比(LHAR)試験構造を示した。微視的LHAR構造は柱で支えた屋根を持つSi内の横型空洞からなる。空洞の長さ(例えば,20~5000μm)と高さ(例えば,200~1000nm)は可変で,例えば20:1から25000:1までのアスペクト比が得られる。膜共形性は微視的LHARを用いて幾つかの方法で分析でき,Me₃Al/H₂O及びTiCl₄/H₂OからのALD Al₂O₃及びTiO₂工程に対して実証した。本研究で紹介した微視的LHAR試験構造は,ALD及び他の化学蒸着工程の開発,調整,モデリングに有用であることを証明すると期待される薄膜共形性研究の新しいパラメータ空間を提供する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  薄膜 ,  *化学蒸着 ,  *性質 ,  アスペクト比 ,  ケイ素 ,  酸化ハフニウム ,  酸化アルミニウム ,  酸化チタン
準シソーラス用語： 二酸化チタン ,  二酸化ハフニウム ,  *共形性 ,  *原子層堆積

分類 (1件)： 薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  分析 ,  Si ,  横型 ,  高アスペクト比