文献

J-GLOBAL ID：201502261192470886   整理番号：15A0755808

in situ PLおよびSPVモニタしたc-Si上の固有a-Si層の金属支援エッチング時の電荷キャリア注入

In Situ PL and SPV Monitored Charge Carrier Injection During Metal Assisted Etching of Intrinsic a-Si Layers on c-Si

著者 (4件)： GREIL Stefanie M. (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, DEU) ,  RAPPICH Joerg (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, DEU) ,  KORTE Lars (Helmholtz-Zentrum Berlin fuer Materialien und Energie GmbH, Berlin, DEU) ,  BASTIDE Stephane (Inst. Chimie et des Materiaux Paris-Est-CMTR, CNRS, Thiais, FRA)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 7  号： 21  ページ： 11654-11659  発行年： 2015年06月03日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 貴金属ナノ粒子を触媒,過酸化水素を酸化剤として用いるフッ化水素水溶液による金属支援化学エッチング(MACE)は太陽電池用シリコンの表面組織作製法として検討されているが詳細な機構はよく分っていない。走査電子顕微鏡法,in situ光ルミネセンス(PL)およびin situ表面光電圧(SPV)測定によって銀ナノ粒子を用いる結晶シリコン(c-Si)表面の固有水素化非晶質シリコン((i)a-Si:H)のMACE過程を検討した。(i)a-Si:Hのエッチング速度がAgナノ粒子のサイズに依存すること,およびin situ PLおよびSPV測定によってエッチングがa-Si/c-Si界面に到達したことを検出できることなどを明らかにした。

シソーラス用語： *エッチング ,  ナノ粒子 ,  銀 ,  触媒 ,  過酸化水素 ,  酸化剤 ,  *アモルファスシリコン ,  *水素化 ,  ケイ素 ,  光ルミネセンス
準シソーラス用語： フッ化水素酸 ,  化学エッチング ,  銀ナノ粒子 ,  結晶シリコン ,  非晶質シリコン

分類 (2件)： 固-液界面  (CB12050B) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (9件)： PL ,  モニタ ,  Si ,  固有 ,  Si層 ,  支援 ,  エッチング ,  電荷 ,  キャリア注入