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J-GLOBAL ID：201502261489679660   整理番号：15A0274922

GaInNAs/GaAs変調ドープ量子井戸構造における負と正の磁気抵抗

Negative and positive magnetoresistance in GaInNAs/GaAs modulation-doped quantum well structures

著者 (7件)： NUTKU Ferhat (Istanbul Univ., Dep. of Physics, Fac. of Sci., Vezneciler, 34134, Istanbul, TUR) ,  DONMEZ Omer (Istanbul Univ., Dep. of Physics, Fac. of Sci., Vezneciler, 34134, Istanbul, TUR) ,  SARCAN Fahrettin (Istanbul Univ., Dep. of Physics, Fac. of Sci., Vezneciler, 34134, Istanbul, TUR) ,  EROL Ayse (Istanbul Univ., Dep. of Physics, Fac. of Sci., Vezneciler, 34134, Istanbul, TUR) ,  PUUSTINEN Janne (Tampere Univ. of Technol., Optoelectronics Res. Centre, Korkeakoulunkatu, 33720, Tampere, FIN) ,  ARIKAN Mehmet Cetin (Istanbul Univ., Dep. of Physics, Fac. of Sci., Vezneciler, 34134, Istanbul, TUR) ,  GUINA Mircea (Tampere Univ. of Technol., Optoelectronics Res. Centre, Korkeakoulunkatu, 33720, Tampere, FIN)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 118  号： 3  ページ： 823-829  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,異なる窒素濃度の成長したまま,及びアニールしたn型及びp型変調ドープGa_0.68In_0.32N_yAs_1-y/GaAs単一量子井戸構造の磁気抵抗調べた。低温と低磁場で,n型試料では負の,p型試料では正の磁気抵抗が観測された。n型試料で観測された負の磁気抵抗はN誘起欠陥の効果としての電子の弱い局在化による電子の後方散乱の増大を示している。n型及びp型試料の両方に対して磁気抵抗の窒素濃度と熱アニーリングへの依存性を調べた。観測された,n型試料における負の磁気抵抗の減少とp型試料の熱アニーリング後の正の磁気抵抗の増大をN含有試料における易動度と結晶品質の熱アニーリング誘起改善を考慮して説明した。熱アニーリング後,n型試料では負の磁気抵抗の大きさは減少し,低磁場で弱い局在化の破れが生じている。試料の易動度が増加すると共に負から正への磁気抵抗の転移臨界磁場は低くなることを観測した。Copyright 2014 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *窒化物 ,  *ヒ化ガリウム ,  *変調ドーピング ,  *量子井戸 ,  *磁気抵抗 ,  *熱処理 ,  化合物半導体 ,  *ヘテロ接合 ,  N型半導体 ,  P型半導体 ,  *Anderson局在 ,  MBE成長 ,  e-e相互作用 ,  キャリア移動度 ,  焼なまし
準シソーラス用語： *弱局在

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  結晶中の局在電子構造  (BM02090U)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaInNAs ,  GaAs ,  変調ドープ ,  量子井戸 ,  磁気抵抗