文献

J-GLOBAL ID：201502262857496179   整理番号：15A0249676

AlN界面層でのAl₂O₃/AlN/GaN金属-酸化物-半導体構造の界面/境界トラップ特性評価

Interface/border trap characterization of Al₂O₃/AlN/GaN metal-oxide-semiconductor structures with an AlN interfacial layer

著者 (8件)： LIU Shenghou (Dep. of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong Univ. of Sci. and Technol., Clear Water Bay, Kowloon ...) ,  YANG Shu (Dep. of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong Univ. of Sci. and Technol., Clear Water Bay, Kowloon ...) ,  TANG Zhikai (Dep. of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong Univ. of Sci. and Technol., Clear Water Bay, Kowloon ...) ,  JIANG Qimeng (Dep. of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong Univ. of Sci. and Technol., Clear Water Bay, Kowloon ...) ,  LIU Cheng (Dep. of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong Univ. of Sci. and Technol., Clear Water Bay, Kowloon ...) ,  WANG Maojun (Inst. of Microelectronics, Peking Univ., Beijing 100871, CHN) ,  SHEN Bo (School of Physics, Peking Univ., Beijing 100871, CHN) ,  CHEN Kevin J. (Dep. of Electronic and Computer Engineering, The Hong Kong Univ. of Sci. and Technol., Clear Water Bay, Kowloon ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 106  号： 5  ページ： 051605-051605-4  発行年： 2015年02月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *キャリア捕獲 ,  窒化アルミニウム ,  *境界層 ,  窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *MOS構造 ,  X線光電子分光法 ,  容量電圧特性
準シソーラス用語： *界面トラップ ,  *界面層

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (9件)： AlN ,  界面層 ,  Al2O3 ,  GaN ,  酸化物 ,  界面 ,  境界 ,  トラップ ,  特性評価