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J-GLOBAL ID：201502263235830884   整理番号：15A0609802

ホウ素をδドープしたSiGe/Si量子井戸の励起子ルミネセンス

Excitonic luminescence of SiGe/Si quantum wells δ-doped with boron

著者 (6件)： BAGAEV V. S. (P.N. Lebedev Physical Inst., Russian Acad. of Sciences, Moscow, RUS) ,  KRIVOBOK V. S. (P.N. Lebedev Physical Inst., Russian Acad. of Sciences, Moscow, RUS) ,  NIKOLAEV S. N. (P.N. Lebedev Physical Inst., Russian Acad. of Sciences, Moscow, RUS) ,  NOVIKOV A. V. (Inst. for Physics of Microstructures Russian Acad. of Sciences, Nizhny Novgorod, RUS) ,  ONISHCHENKO E. E. (P.N. Lebedev Physical Inst., Russian Acad. of Sciences, Moscow, RUS) ,  PRUCHKINA A. A. (P.N. Lebedev Physical Inst., Russian Acad. of Sciences, Moscow, RUS)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 117  号： 18  ページ： 185705-185705-7  発行年： 2015年05月14日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *δドーピング ,  *半導体材料 ,  *ケイ素 ,  *量子井戸 ,  *励起子 ,  *光ルミネセンス ,  発光 ,  プラズマ ,  バンドオフセット ,  不純物濃度 ,  *ホウ素 ,  ゲルマニウム
準シソーラス用語： *シリコンゲルマニウム ,  電子プラズマ ,  不純物結合励起子 ,  *励起子ルミネセンス

分類 (3件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (6件)： ホウ素 ,  δドープ ,  SiGe ,  Si ,  量子井戸 ,  励起子ルミネセンス