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J-GLOBAL ID：201502263738375297   整理番号：15A0109176

ダブルゲートMOSFETの解析アバランシェ降伏モデル

An analytical avalanche breakdown model for double gate MOSFET

著者 (3件)： CHO Edward Namkyu ,  SHIN Yong Hyeon ,  YUN Ilgu
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 55  号： 1  ページ： 38-41  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダブルゲート(DG)金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)のアバランシェ降伏解析モデルを提示する。先ず,一定移動度モデルを置き換えるために,実効移動度(μ_eff)モデルを定義する。チャネル長変調(CLM)効果をPoisson方程式を解くことによってモデル化する。アバランシェ増倍率(M)を飽和領域(ΔL)長を用いて計算する。解析モデルから計算したアバランシェ降伏特性は,市販2D数値シミュレーション結果とよく一致することが分かる。結果に基づいて,DG MOSFETの信頼性を提案解析モデルを用いて推定できる。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *降伏 ,  *なだれ電流 ,  *MOSFET ,  モデリング ,  素子構造 ,  電流電圧特性 ,  移動度 ,  Poisson方程式 ,  増幅現象 ,  信頼性
準シソーラス用語： アバランシェ降伏 ,  ダブルゲートMOSFET

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ダブルゲートMOSFET ,  解析 ,  アバランシェ降伏 ,  モデル