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J-GLOBAL ID：201502264885357020   整理番号：15A0532996

溶液処理した高性能で電気的に安定なトップゲート構成の高分子電界効果トランジスタ

High-performance and electrically stable solution-processed polymer field-effect transistors with a top-gate configuration

著者 (5件)： TAKAGI Kenichiro (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  NAGASE Takashi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  KOBAYASHI Takashi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN) ,  KUSHIDA Takashi (Teijin Ltd., Tokyo, JPN) ,  NAITO Hiroyoshi (Osaka Prefecture Univ., Sakai, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 1  ページ： 011601.1-011601.5  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 可溶性半導体立体規則性ポリ(3-ヘキシルチオフェン)(P3HT)に基づくトップゲート構成の有機電界効果トランジスタ(OFET)の電気的性能を調べた。このトップゲートP3HT OFETは電界効果移動度が基板の表面エネルギーに無関係であり,SiO₂ゲート絶縁膜上の疎水性表面不動態化ボトムゲートP3HT FETに匹敵することを示した。ゲートバイアス応力実験は高い電気安定性を明らかにし,異なる高分子ゲート絶縁膜を有するトップゲート素子のヒステリシスが無視でき閾値電圧シフトが小さいことを示した。これは水素化非晶質珪素薄膜トランジスタのそれと同等かそれ以上に優れている。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *素子構造 ,  *FET【トランジスタ】 ,  有機半導体 ,  キャリア移動度 ,  表面エネルギー ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  処理 ,  安定性 ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *トップゲート構造 ,  高性能 ,  電界効果移動度 ,  電気的安定性 ,  *有機電界効果トランジスタ ,  溶液処理

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： 3-ヘキシルチオフェン

引用文献 (30件)：

• H. Sirringhaus, Adv. Mater. 17, 2411 (2005).
• H. Sirringhaus, P. J. Brown, R. H. Friend, M. M. Nielsen, K. Bechgaard, B. M. W. Langeveld-Voss, A. J. H. Spiering, R. A. J. Janssen, E. W. Meijer, P. Herwig, and D. M. de Leeuw, Nature 401, 685 (1999).
• R. J. Kline, M. D. McGehee, and M. F. Toney, Nat. Mater. 5, 222 (2006).
• S. Grecu, M. Roggenbuck, A. Opitz, and W. Brütting, Org. Electron. 7, 276 (2006).
• T. Nagase, T. Hamada, K. Tomatsu, S. Yamazaki, T. Kobayashi, S. Murakami, K. Matsukawa, and H. Naito, Adv. Mater. 22, 4706 (2010).

タイトルに関連する用語 (5件)： 溶液処理 ,  高性能 ,  トップゲート ,  高分子 ,  電界効果トランジスタ