文献

J-GLOBAL ID：201502265056292759   整理番号：15A0133512

大きな閾値電圧を持つ高組成AlGaNチャネル高電子移動度トランジスタのモデリング

Modeling of high composition AlGaN channel high electron mobility transistors with large threshold voltage

著者 (5件)： BAJAJ Sanyam (Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA) ,  HUNG Ting-hsiang (Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA) ,  AKYOL Fatih (Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA) ,  NATH Digbijoy (Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA) ,  RAJAN Siddharth (Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Ohio State Univ., Columbus, Ohio 43210, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 105  号： 26  ページ： 263503-263503-4  発行年： 2014年12月29日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *HEMT ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *シミュレーション ,  *電圧 ,  *二次元電子ガス ,  温度依存性 ,  オン抵抗
準シソーラス用語： *高電子移動度トランジスタ ,  *窒化ガリウムアルミニウム ,  *二次元シミュレーション ,  *閾値電圧

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 閾値電圧 ,  組成 ,  AlGaN ,  チャネル ,  高電子移動度トランジスタ ,  モデリング