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J-GLOBAL ID：201502265338564247   整理番号：15A0727655

SiおよびSi₃N₄基板上へのマグネトロンスパッタPt/CeO₂薄膜の成長,キャラクタリゼーションおよび界面反応

Growth, characterization and interfacial reaction of magnetron sputtered Pt/CeO₂ thin films on Si and Si₃N₄ substrates

著者 (2件)： ANANDAN Chinnasamy (Surface Engineering Div., CSIR - National Aerospace Laboratories, Bangalore, 560017, IND) ,  BERA Parthasarathi (Surface Engineering Div., CSIR - National Aerospace Laboratories, Bangalore, 560017, IND)
資料名： Surface and Interface Analysis  (Surface and Interface Analysis)
巻： 47  号： 7  ページ： 777-784  発行年： 2015年07月 
JST資料番号： E0709A  ISSN： 0142-2421  CODEN： SIANDQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiおよびSi₃N₄へのマグネトロンスパッタPt/CeO₂薄膜の成長をX線回折(XRD),電界放出走査電子顕微鏡(FESEM),原子間力顕微鏡(AFM)およびX線光電子分光法(XPS)でキャラクタライズした。SiおよびSi₃N₄基板上,SiとPt/CeO₂膜の相互作用をXPSで広く研究した。XRD研究は膜がCeO₂の(200)方向に優先的に配向することを示す。XPS結果はPtが主にPt/CeO₂/Si膜で+2酸化状態にあり,一方,Pt/CeO₂/Si₃N₄膜ではPt⁴⁺が優位を占めることを示す。Si₃N₄基板上でPt⁴⁺種の濃度はSi基板に比べて,4倍以上である。CeはSiおよびSi₃N₄基板上に堆積されたPt/CeO₂膜で両+4および+3酸化状態として存在するが,Ce³⁺種の濃度はPt/CeO₂/Si膜で多い。CeO₂およびSi基板間の界面反応はPtの存在で制御される。Pt/Ce濃度比は連続スパッタリングに応じて,Pt/CeO₂/Si₃N₄膜で減少するが,この比はPt/CeO₂/Si膜では最初減少し,それから増加する。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *白金 ,  *酸化セリウム ,  *不均一系反応 ,  *ウエハ【IC】 ,  *窒化ケイ素 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  *薄膜成長 ,  X線光電子スペクトル ,  微細構造 ,  状態 ,  分子配向
準シソーラス用語： *ケイ素基板 ,  *界面反応 ,  酸化状態

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： Si ,  Si3N4 ,  マグネトロンスパッタ ,  Pt ,  薄膜 ,  成長 ,  キャラクタリゼーション ,  界面反応