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J-GLOBAL ID：201502265421507646   整理番号：15A0266021

複雑な分子ブラシアーキテクチャーによる先端的フォトレジスト技術:ジブロックブラシ三元重合体ベースのポジ型フォトレジスト材料

Advanced photoresist technologies by intricate molecular brush architectures: Diblock brush terpolymer-based positive-tone photoresist materials

著者 (12件)： SUN Guorong (Dep. of Chemistry, Texas A&M Univ., Coll. Station, Texas, 77842; Dep. of Chemical Engineering, Texas A&M Univ. ...) ,  CHO Sangho ,  YANG Fan ,  HE Xun ,  PAVIA-SANDERS Adriana ,  CLARK Corrie ,  RAYMOND Jeffery E. ,  VERKHOTUROV Stanislav V. ,  SCHWEIKERT Emile A. ,  THACKERAY James W. ,  TREFONAS Peter ,  WOOLEY Karen L.
資料名： Journal of Polymer Science. Part A. Polymer Chemistry  (Journal of Polymer Science. Part A. Polymer Chemistry)
巻： 53  号： 2  ページ： 193-199  発行年： 2015年01月15日 
JST資料番号： C0337C  ISSN： 0887-624X  CODEN： JPLCAT  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 報告されたジブロックブラシ三元重合体は,高度高分子および高度ポジ型フォトレジスト材料の同時トップダウン/ボトムアップ構築における位置化学制御の基本的な利点を表示した。選択分割基板接着性,表面活性マイグレーション,ならびに円筒形高分子ブラシ構造への化学反応性官能デブロッキング組成物により,薄膜内の高分子の垂直配向の大きな領域を実現させた。ボトムアップ計画的なシステムは,低動作用量で近接分子ピクセル解像度(2-3分子)を生成するための効果的なトップダウンリソグラフィーを可能にした。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ジブロック共重合体 ,  *高分子ブラシ ,  接着 ,  反応性高分子 ,  マイグレーション【化学物質】 ,  *フォトレジスト ,  界面活性 ,  画素 ,  リソグラフィー ,  多元共重合体 ,  分子配向 ,  開環メタセシス重合 ,  マクロモノマ
準シソーラス用語： マクロマ

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  高分子固体の物理的性質  (CG02024U)

物質索引 (4件)： 4-シアノ-4-[フェニル(チオカルボニル)チオ]ペンタン酸ビシクロ[2.2.1]ヘプタ-2-エン-5-イルメチル ,  ジクロロベンジリデン1,3-ジメシチルイミダゾリジン-2-イルルテニウム(VI) ,  メタクリル酸1-エチルシクロペンチル ,  メタクリル酸2-オキソテトラヒドロフラン-3-イル

タイトルに関連する用語 (6件)： 分子 ,  ブラシ ,  アーキテクチャー ,  フォトレジスト ,  三元重合体 ,  ポジ型フォトレジスト