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J-GLOBAL ID:201502265629329431   整理番号:15A0620361

電子ビーム処理によるゾル-ゲル由来InドープZnO薄膜の電気的性質改善

Improvement in electrical properties of sol-gel-derived In-doped ZnO thin film by electron beam treatment
著者 (6件):
資料名:
巻: 74  号:ページ: 790-799  発行年: 2015年06月 
JST資料番号: W0812A  ISSN: 0928-0707  CODEN: JSGTEC  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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ゾル-ゲルスピンコーティング法によりInドープZnO薄膜を調製した。高いInドープ水準での結晶性と電気抵抗劣化のようないくつかのInドープの問題点が報告されているため,本研究ではGaとの共ドープと電子ビーム処理を示した。Inドーパントを0.5モル%ZnO薄膜に加えると,キャリア濃度が増加し,膜の抵抗率を低下させる。逆に,In存在下でGaをさらにドープすると電気的性質は殆ど変化しない。Zno膜に電子ビーム処理を行うと,光学バンドギャップが増加し,キャリア濃度と移動度が増加した。特に,2keVで電子ビーム処理した0.5モル%InドープZnOは,4.8×10-2Ωcmと低い電気抵抗率を示し,一方,もとのZnO薄膜からは57.1Ωcmが得られた。ZnO膜を結晶状Si太陽電池に適用すると,変換効率はもとのZnO薄膜を有する電池の10.37%から,Inドープおよ電子ビーム処理ZnO薄膜の11.45%に大きく増加した。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
分類
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酸化物薄膜  ,  太陽電池 
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