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J-GLOBAL ID：201502266349239786   整理番号：15A0145807

熱及びプラズマ増強原子層堆積AlN膜の初期成長,屈折率,結晶度

Initial growth, refractive index, and crystallinity of thermal and plasma-enhanced atomic layer deposition AlN films

著者 (7件)： VAN BUI Hao (MESA + Inst. for Nanotechnology, Univ. of Twente, P. O. Box 217, 7500 AE Enschede, NLD) ,  WIGGERS Frank B. (MESA + Inst. for Nanotechnology, Univ. of Twente, P. O. Box 217, 7500 AE Enschede, NLD) ,  GUPTA Anubha (MESA + Inst. for Nanotechnology, Univ. of Twente, P. O. Box 217, 7500 AE Enschede, NLD) ,  NGUYEN Minh D. (MESA + Inst. for Nanotechnology, Univ. of Twente, P. O. Box 217, 7500 AE Enschede, NLD) ,  AARNINK Antonius A. I. (MESA + Inst. for Nanotechnology, Univ. of Twente, P. O. Box 217, 7500 AE Enschede, NLD) ,  DE JONG Michel P. (MESA + Inst. for Nanotechnology, Univ. of Twente, P. O. Box 217, 7500 AE Enschede, NLD) ,  KOVALGIN Alexey Y. (MESA + Inst. for Nanotechnology, Univ. of Twente, P. O. Box 217, 7500 AE Enschede, NLD)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 33  号： 1  ページ： 01A111-01A111-6  発行年： 2015年01月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トリメチルアルミニウムとアンモニア又はN₂-H₂混合物を前駆体に用いて,熱及びプラズマ増強原子層堆積(ALD)によりSi(111)上に堆積したAlN膜の初期成長と性質を調べ比較した。その場分光偏光解析法を用いて成長を監視し,堆積時の膜の屈折率を測定した。熱ALDではインキュベーション段階のみが生じたことが分かった。プラズマ増強ALD(PEALD)に対する線形成長はプラズマの存在により与えられる高い核密度故に最初から瞬時に始まった。成長時のAlNの屈折率の発展を観測し,厚み約30nmまでの迅速な増加とその後の飽和を示した。この厚み以下では,PEALDで成長させたAlN膜で高い屈折率値が得られたが,それより厚い膜の屈折率は熱ALD膜の方が高かった。X線回折では,(10<span style=text-decoration:overline>1</span>0)優先配向したウルツ鉱型結晶構造が全ての層で得られ,結晶度はPEALDで成長させた膜の方が優れていた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *プラズマCVD ,  *窒化アルミニウム ,  屈折率 ,  結晶度 ,  アンモニア ,  *薄膜成長 ,  ケイ素 ,  偏光解析法 ,  プラズマ ,  ウルツ鉱型結晶 ,  半導体薄膜 ,  半導体材料
準シソーラス用語： X線回折パターン ,  *プラズマ増強CVD ,  原子層堆積 ,  分光偏光解析法

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

物質索引 (1件)： トリメチルアルミニウム

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマ ,  増強 ,  原子層堆積 ,  AlN ,  初期成長 ,  屈折率 ,  結晶度