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J-GLOBAL ID：201502269715649681   整理番号：15A0440614

空格子点ドリフト抵抗スイッチの低電圧2状態変数メムリスタモデル

Low voltage two-state-variable memristor model of vacancy-drift resistive switches

著者 (7件)： ZHANG Lu (Univ. of Pittsburgh, Dep. of Electrical and Computer Engineering, 15261, Pittsburgh, PA, USA) ,  GE Ning (Hewlett-Packard Laboratories, 1501 Page Mill Road, 94304, Palo Alto, CA, USA) ,  JOSHUA YANG J. (Hewlett-Packard Laboratories, 1501 Page Mill Road, 94304, Palo Alto, CA, USA) ,  JOSHUA YANG J. (Univ. of Massachusetts, Dep. of Electrical and Computer Engineering, 01003-9292, Amherst, MA, USA) ,  LI Zhiyong (Hewlett-Packard Laboratories, 1501 Page Mill Road, 94304, Palo Alto, CA, USA) ,  STANLEY WILLIAMS R. (Hewlett-Packard Laboratories, 1501 Page Mill Road, 94304, Palo Alto, CA, USA) ,  CHEN Yiran (Univ. of Pittsburgh, Dep. of Electrical and Computer Engineering, 15261, Pittsburgh, PA, USA)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 119  号： 1  ページ： 1-9  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 帯電O空格子点ドリフト抵抗スイッチの,スイッチング材料における電子輸送と空格子点のドリフト速度(すなわちスイッチング速度)の両方に及ぼす内部Joule加熱の効果を含んだ,発見法的2状態変数メムリスタモデルを例証した。動的状態変数はデバイスの伝導性チャネルの断面積とチャンネル端と電極の1つの間のギャップに対応している。モデルを低電圧パルス掃引とTaO_xメムリスタから収集された状態試験データに対して較正し,スイッチングに対するチャネルギャップ,面積,温度の寄与を解析した。モデルは長いスイッチング時間と低-中間電圧動作に対して実験とよく合った。Copyright 2015 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 記憶装置 ,  *回路部品 ,  モデリング ,  *酸化タンタル ,  *空格子点 ,  スイッチング ,  状態変数 ,  不揮発性メモリ ,  回路シミュレーション ,  スパッタ蒸着 ,  誘電体薄膜 ,  MIM構造 ,  ドリフト速度
準シソーラス用語： *メモリスタ ,  酸素空格子点 ,  抵抗スイッチング ,  *抵抗スイッチングメモリ

分類 (2件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  論理回路  (NC05070B)

タイトルに関連する用語 (6件)： 空格子点 ,  ドリフト ,  低電圧 ,  状態変数 ,  メムリスタ ,  モデル