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J-GLOBAL ID：201502270186431428   整理番号：15A0513885

アルミナ湿度センサでのISFETドリフト-ライク・エージングの妥当な機構

A plausible ISFET drift-like aging mechanism for Al₂O₃ humidity sensor

著者 (2件)： KHANNA Vinod Kumar (MEMS & Microsensors Group, CSIR-Central Electronics Engineering Res. Inst., Pilani 333031, Rajasthan, IND) ,  KHANNA Vinod Kumar (Acad. of Scientific & Innovative Res. (AcSIR), New Delhi 110001, IND)
資料名： Sensors and Actuators. B. Chemical  (Sensors and Actuators. B. Chemical)
巻： 213  ページ： 351-359  発行年： 2015年07月05日 
JST資料番号： T0967A  ISSN： 0925-4005  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 初期の論文はバーチャル細孔拡張モデルを用いて多孔質アルミナ湿度センサの特性における時間的なドリフトを説明した。このモデルはエージングにともなう感度低下に関する妥当性のある機構をあたえない。それはエージングにともなう感度が増加する相反する挙動を予測し,この挙動は実際とは異なる。水分への露出によるアルミナの水和は,アルミナ使用のイオン選択電界効果トランジスタ(ISFET)で観察されるように,エージングにともなうより適切な説明をあたえる。水和の増加にともなうアルミナ湿度センサキャパシタンスの単調な低下が,等価回路モデルとセンサの不均一誘電体としてのモデル化により確立された。アルミナ湿度センサ理論を用いて湿度センサのキャパシタンスキャリブレーション特性をシミュレートした。ISFETドリフトをともなうセンサのエージングの類似性と相違性を明らかにした。ISFETにおいて,薄い水和層がゲイト誘電体表面にのみ形成され,アルミナセンサにおいて,多孔質フィルムの内側層の水和が可能性としてある。センサエージング機構の一元化を考察した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ISFET ,  モデル ,  誘電性 ,  静電容量 ,  *アルミナ ,  *湿度センサ ,  *水和 ,  センサ ,  *多孔質体
準シソーラス用語： 等価回路モデル ,  キャパシタンス ,  一元化 ,  *エージング過程 ,  *静電容量センサ ,  *多孔質アルミナ

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  静電機器  (NB10020R)

タイトルに関連する用語 (5件)： アルミナ ,  湿度センサ ,  ISFET ,  ドリフト ,  エージング