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J-GLOBAL ID:201502270211055177   整理番号:15A0717552

ポリイオンコンプレックス法による半導体性配位高分子の水溶化と塗布薄膜の物性

著者 (3件):
資料名:
巻: 95th  号:ページ: 993  発行年: 2015年03月11日 
JST資料番号: S0493A  ISSN: 0285-7626  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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最近,半導体性や高い導電率を有する配位高分子が報告されてきたが,これらの配位高分子は一般に溶解性が低いため,ウエットプロセスによる薄膜化が困難であった。本研究では半導体性Poly(Ni3(HITP)2)を例にとり,水溶性ポリマー水溶液中でPoly(Ni3(HITP)2)を調製することにより,その水溶性ポリイオンコンプレックスの調整に成功した。分散液をガラス基板に塗布して得た薄膜の構造と物性を分析した。(著者抄録)
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分類 (4件):
分類
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有機化合物の電気伝導  ,  コバルトとニッケルの錯体  ,  芳香族単環アミン・イミン・第四アンモニウム・インモニウム  ,  有機化合物の薄膜 
タイトルに関連する用語 (5件):
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