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J-GLOBAL ID：201502270810649123   整理番号：15A0706477

高周波マグネトロンスパッタリングにより作製したCuIn_1-xAl_xSe₂薄膜の構造及び電気特性

Structural and electrical properties of CuIn_1- Al Se₂ thin films prepared by radio-frequency magnetron sputtering process

著者 (8件)： ZHANG Jun (Key Lab. of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Dep. of Electronic Engineering, East China Normal ...) ,  DENG Hongmei (Lab. for Microstructures, Shanghai Univ., 99 Shangda Rd, Shanghai 200444, CHN) ,  HE Jun (Key Lab. of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Dep. of Electronic Engineering, East China Normal ...) ,  MENG Xiankuan (Key Lab. of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Dep. of Electronic Engineering, East China Normal ...) ,  LIU Tantan (Key Lab. of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Dep. of Electronic Engineering, East China Normal ...) ,  SUN Lin (Key Lab. of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Dep. of Electronic Engineering, East China Normal ...) ,  YANG Pingxiong (Key Lab. of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Dep. of Electronic Engineering, East China Normal ...) ,  CHU Junhao (Key Lab. of Polar Materials and Devices, Ministry of Education, Dep. of Electronic Engineering, East China Normal ...)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 326  ページ： 211-215  発行年： 2015年01月30日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CuIn_1-xAl_xSe₂(CIAS)薄膜を高周波マグネトロンスパッタリングにより作製した。X線回折パターンは,CIAS薄膜の格子定数は0から12%へのAl量により約2%小さくなったことを示した。Raman散乱分光の結果,A₁モードの位置はAl量の増加によりブルーシフトすることが分かった。結晶粒径はAlの増加とともに明らかに小さくなった。Al-ZnO/CIAS薄膜の界面の電流電圧特性から,閾値電圧は暗から照射で減少し,障壁高さは暗のときの0.775eVから光照射下の0.697eVになり,I曲線に対するd(V)/d(lnI)から理想因子は暗及び光照射下で2.19から1.96へ変わった。AZO/CIAS薄膜は450nmから750nmの波長範囲で良好なスペクトル応答を示した。これらの結果,CIAS薄膜は光検出器のための材料となり得ることが分かった。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： スパッタ蒸着 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  *銅化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *アルミニウム化合物 ,  *セレン化物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *酸化亜鉛 ,  アルミニウム ,  ドーピング ,  *ヘテロ接合 ,  電流電圧特性 ,  光電流 ,  *光検出器 ,  X線回折 ,  Ramanスペクトル ,  界面 ,  量子効率 ,  パラメータ
準シソーラス用語： RFマグネトロンスパッタリング ,  *セレン化アルミニウムインジウム銅 ,  外部量子効率 ,  曲線因子

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P) ,  測光と光検出器一般  (BD07031F)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高周波マグネトロンスパッタリング ,  作製 ,  薄膜 ,  電気特性