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J-GLOBAL ID：201502271037817930   整理番号：15A0418848

シリコン基板上のゲルマニウム-on-絶縁体モノリシック集積のためのゲルマニウムの横方向被覆成長

Lateral overgrowth of germanium for monolithic integration of germanium-on-insulator on silicon

著者 (10件)： NAM Ju Hyung (Deptartment of Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, CA 94305-4075, USA) ,  ALKIS Sabri (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, UNAM-National Nanotechnology Res. Center, Inst. of Materials Sci. ...) ,  NAM Donguk (Deptartment of Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, CA 94305-4075, USA) ,  AFSHINMANESH Farzaneh (Geballe Lab. for Advanced Materials, Stanford Univ., 476 Lomita Mall, Stanford, CA 94305-4045, USA) ,  SHIM Jaewoo (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon, Gyeonggi Province 440-746, KOR) ,  PARK Jin-Hong (School of Information and Communication Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon, Gyeonggi Province 440-746, KOR) ,  BRONGERSMA Mark (Geballe Lab. for Advanced Materials, Stanford Univ., 476 Lomita Mall, Stanford, CA 94305-4045, USA) ,  OKYAY Ali Kemal (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, UNAM-National Nanotechnology Res. Center, Inst. of Materials Sci. ...) ,  KAMINS Theodore I. (Deptartment of Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, CA 94305-4075, USA) ,  SARASWAT Krishna (Deptartment of Electrical Engineering, Stanford Univ., Stanford, CA 94305-4075, USA)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 416  ページ： 21-27  発行年： 2015年04月15日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 局所的にゲルマニウム-on-絶縁体をシリコン(Si)プラットホーム上に成長する技術を調査した。(001)Siウエハ上に,二酸化珪素(SiO₂)を熱成長し,ゲルマニウム(Ge)のための成長ウィンドウを開口した。成長マスクとしてSiO₂を使用して,結晶Geを選択ヘテロエピタクシ法で成長した。Ge結晶の横方向被覆成長はSiO₂の表面を覆い,隣接しているGe結晶はお互いと合体する。したがって,GOI応用のための絶縁体上単結晶Geが形成された。GOIの表面を平坦化するために,化学機械研摩(CMP)を行った。透過型電子顕微鏡検査(TEM)分析,ラマン分光法,および時間分解光ルミネセンス(TRPL)は,高品質の結晶GeがSiO₂に成長したことを示した。金属-半導体-金属(MSM)光検出器の光応答は,850nmと1550nmの波長に良い光吸収を示した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ゲルマニウム ,  *絶縁材料 ,  集積 ,  *エピタクシー ,  *光検出器 ,  *絶縁体 ,  *横方向成長
準シソーラス用語： モノリシック集積 ,  *横方向被覆成長

分類 (2件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W)

タイトルに関連する用語 (5件)： シリコン基板 ,  ゲルマニウム ,  絶縁体 ,  モノリシック集積 ,  横方向被覆成長