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J-GLOBAL ID：201502271080245826   整理番号：15A0434657

余分にTEOSを導入したMOCVDにより蒸着したCeO₂薄膜の結晶化特性

CRYSTALLIZATION PROPERTIES OF CeO₂ THIN FILMS DEPOSITED BY MOCVD WITH ADDITIONAL TEOS INTRODUCTION

著者 (7件)： FURUYA T. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  SATO T. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  MATSUMURA T. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  OKABE Y. (Hosei Univ., Tokyo, JPN) ,  SUZUKI S. (Comet Inc., Ibaraki, JPN) ,  ISHIBASHI K. (Comet Inc., Ibaraki, JPN) ,  YAMAMOTO Y. (Hosei Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement  (Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)
号： 33  ページ： 70-76  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： L0263A  ISSN： 0914-2908  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CeO₂とSiO₂から成る複合薄膜をp型Si(100)上へ有機金属化学蒸着(MOCVD)により,テトラキス(3-メチル-3-ペントキシ)セリウムとテトラエチルオルトケイ酸塩(TEOS)を原料として,50Paの圧力,30分,300°Cの基板温度で調製した。TEOSは3分ごとに5s,あるいは1s供給した。ポストアニーリングを500°C,30分間,空気中で行った。X線光電子分光法により,できた薄膜を分析し,TEOSを導入すると,薄膜中にケイ酸塩が存在することが分った。TEOSを導入しても,Siの量は変化しなかった。X線回折測定を行い,TEOSを導入すると,結晶化が抑制されることを示した。

シソーラス用語： *MOCVD ,  *酸化セリウム ,  二酸化ケイ素 ,  基板温度 ,  焼なまし ,  X線光電子分光法 ,  *ケイ酸塩 ,  X線回折分析 ,  結晶化 ,  蒸着膜 ,  脂肪族アルコール ,  無機酸エステル
準シソーラス用語： ポストアニーリング

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

物質索引 (1件)： TEOS

タイトルに関連する用語 (6件)： TEOS ,  MOCVD ,  蒸着 ,  CeO2 ,  薄膜 ,  結晶化