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J-GLOBAL ID:201502271109620435   整理番号:15A0375420

過酸化水素表面処理によるGaNベースのSchottkyダイオードの水素感度性能の向上

Enhancement of hydrogen sensing performance of a GaN-based Schottky diode with a hydrogen peroxide surface treatment
著者 (7件):
資料名:
巻: 211  ページ: 303-309  発行年: 2015年05月 
JST資料番号: T0967A  ISSN: 0925-4005  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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GaOx層をもつGaNベースのsチョッtkyダイオードセンサの水素感度性能の向上を研究し,しめした。Pd/GaNインターフェイスに挿入したGaOx薄膜を,室温にて過酸化水素溶液に浸責し,酸化した。実験的に,1.8×105の著しく高い水素感受性応答と33.1%の大きなSchottky障壁高変動比が,300Kにおける1%H2/空気への露出に対して観測された。検出限界は300K条件下で0.1ppmH2/空気であった。これらの向上した特性は,水素分子の効果的解離とGaOx層の存在により生じた粗いPd表面に依存する。応答(回復)の時定数は300Kで1%H2/空気への露出に対して13.3(23.6)sであった。このデバイスの関連する水素吸着分析を研究した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (2件):
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分析機器  ,  半導体薄膜 

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