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J-GLOBAL ID：201502271286441575   整理番号：15A0743103

原子論的キネティックモンテカルロ法を使った微細化Siプレーナーデバイスにおけるポケットドーパント非活性化とV_th変動に与ええるその影響

Atomistic Modeling of Pocket Dopant Deactivation and Its Impact on V_th Variation in Scaled Si Planar Devices Using an Atomistic Kinetic Monte Carlo Approach

著者 (4件)： NODA Taiji (Panasonic Corp., Osaka, JPN) ,  VRANCKEN Christa (imec, Leuven, BEL) ,  VANDERVORST Wilfried (imec, Leuven, BEL) ,  VANDERVORST Wilfried (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 6  ページ： 1789-1795  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 接合のスケーリングに伴い,閾値電圧変動の制御はSiプレーナーデバイススケーリングの主要制限要素である。原子論的運動論モンテカルロ法(AMC)を使ってポケットドーパント非活性化の解析とV_th変動への影響を調べた。スパイクRTA前のレーザアニーリング(LA)の効果を調べた。Bポケットドーピングでは安定なB構造がスパイクRTAでB₃IからBI₂に変化し,BI₂は1020°C以下でBポケット非活性化の源である。Bポケット活性化を改善するには低温スパイクRTA(<1020°C)前のLAが有効である。スパイクRTA前のLAはnFETで良好な短チャネル効果と小さいDIBLを示す。LA+1000°CでのスパイクRTAは,スパイクRTAだけよりも良いV_thミスマッチ性能指数を示す。pFETよりもnFETで,ポケット非活性化の差がV_thミスマッチの理由になる。

シソーラス用語： 拡散 ,  モンテカルロ法 ,  半導体 ,  半導体接合 ,  電圧 ,  *不活性化 ,  電圧変動 ,  RTA【熱処理】 ,  レーザアニーリング ,  短チャネル効果 ,  *ドーパント ,  不純物分布
準シソーラス用語： DIBL ,  *キネティックモンテカルロ法 ,  ドーピングプロファイル ,  極浅接合 ,  閾値電圧

分類 (2件)： 集積回路一般  (NC03161C) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： キネティックモンテカルロ法 ,  微細化 ,  Si ,  プレーナー ,  ドーパント ,  非活性化