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J-GLOBAL ID：201502272116841605   整理番号：15A0556068

構成成分からの典型的なII-VIワイドギャップ半導体結晶の直接的蒸気成長

Vapor growth of typical II-VI wide-gap semiconductor crystals directly from the constituent elements

著者 (5件)： LI Huanyong (State Key Lab of Solidification Processing, School of Material Sci. and Engineering, Northwestern Polytechnical ...) ,  GU Zhi (State Key Lab of Solidification Processing, School of Material Sci. and Engineering, Northwestern Polytechnical ...) ,  ZHANG Haiyang (State Key Lab of Solidification Processing, School of Material Sci. and Engineering, Northwestern Polytechnical ...) ,  LI Heqing (State Key Lab of Solidification Processing, School of Material Sci. and Engineering, Northwestern Polytechnical ...) ,  FU Li (State Key Lab of Solidification Processing, School of Material Sci. and Engineering, Northwestern Polytechnical ...)
資料名： Materials Research Bulletin  (Materials Research Bulletin)
巻： 69  ページ： 126-130  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： B0954A  ISSN： 0025-5408  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 三つのZnE(E=Se,Te)単結晶を,輸送剤としてのI₂またはNH₄Clの支援により,ZnE化合物の調和昇華に関する動的な制限を避けることによる改良型化学蒸気輸送(CVT)法を経てZn-E(E=Se,Te)系から直接成長できた。成長直後のZnE結晶は,種々の成長条件に起因して様々な結晶外観を示した。成長直後のZnE結晶の構造,成長癖および形態を,XRD,RO-XRD,SEMおよび光学顕微鏡で検討した。NH₄Cl輸送剤のZnE結晶は興味深い成長癖の薄板様に見えたが,I₂輸送材によるZnE結晶は円錐形の高結晶性品質を示した。様々な成長結果の間の検討対比により,閉鎖空間CVT系におけるZnE結晶の蒸気フリー機構の成長パラメータを理解する機会が得られ,ZnE結晶のフリー成長癖は成長パラメータに依存し,これは,それらの成長機構や界面での主な気固反応に起因することが分かった。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  バンドギャップ ,  *結晶成長 ,  *気相成長 ,  亜鉛化合物 ,  *セレン化物 ,  *テルル化物 ,  単結晶 ,  ヨウ素 ,  塩化アンモニウム ,  昇華 ,  化学輸送 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  光学顕微鏡 ,  薄板 ,  円錐 ,  結晶度 ,  品質 ,  閉鎖 ,  空間 ,  機構 ,  *界面 ,  *気固反応
準シソーラス用語： *ワイドギャップ半導体 ,  化学蒸気輸送反応 ,  構成成分

分類 (3件)： 半導体の結晶成長  (BK13040X) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  固-気界面一般  (CB12041H)

タイトルに関連する用語 (5件)： 構成成分 ,  ワイドギャップ半導体 ,  結晶 ,  蒸気 ,  成長