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J-GLOBAL ID：201502272357547058   整理番号：15A0467629

GaSb基板上の希釈窒化物InGaSbN/InAs超格子のバンドギャップへの歪釣合い効果の理論研究

Theoretical study of the effects of strain balancing on the bandgap of dilute nitride InGaSbN/InAs superlattices on GaSb substrates

著者 (10件)： HAZBUN Ramsey (Univ. of Delaware, Dep. of Electrical and Computer Engineering, 140 Evans Hall, Newark, DE 19717, USA) ,  BHARGAVA Nupur (Univ. of Delaware, Dep. of Electrical and Computer Engineering, 140 Evans Hall, Newark, DE 19717, USA) ,  RODRIGUEZ-TORO Victor A. (Univ. of Delaware, Dep. of Electrical and Computer Engineering, 140 Evans Hall, Newark, DE 19717, USA) ,  RODRIGUEZ-TORO Victor A. (Universidad del Valle, Escuela de Ingenieria Electrica y Electronica, A.A. 25360 Cali, Colombia) ,  GOOSSEN Keith (Univ. of Delaware, Dep. of Electrical and Computer Engineering, 140 Evans Hall, Newark, DE 19717, USA) ,  KOLODZEY James (Univ. of Delaware, Dep. of Electrical and Computer Engineering, 140 Evans Hall, Newark, DE 19717, USA) ,  RAM-MOHAN L. Ramdas (Dep. of Physics, Worcester Polytechnic Inst., 100 Inst. Road, Worcester, MA 01609, USA) ,  AINA Leye (Epitaxial Technologies, 1450 South Rolling Rd, Baltimore, MD 21227, USA) ,  FATHIMULLA Ayub (Epitaxial Technologies, 1450 South Rolling Rd, Baltimore, MD 21227, USA) ,  HIER Harry (Epitaxial Technologies, 1450 South Rolling Rd, Baltimore, MD 21227, USA)
資料名： Infrared Physics & Technology  (Infrared Physics & Technology)
巻： 69  ページ： 211-217  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： H0184A  ISSN： 1350-4495  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 中赤外応用のためのバンドギャップ改変の手段としてIII-V族合金への窒素の添加が広く研究されている。しかし,便利な基板,例えばGaSbへのこれらの合金の格子整合は格子定数のかなりの違いにより困難な課題である。方式の一つはGaSb基板上にInGaSbN/InAs層を成長させるもので,前者は基板より格子定数が大きく,後者は小さいため,圧縮および引張応力を釣り合わせることができ,その結果歪層超格子となる。本報ではII-型(千鳥型)エネルギーオフセットを伴うGaSb基板上のIn_xGa_1-xSb_1-yN_y/InAs歪層超格子について報告するがそこでは層の厚み設計は格子定数と弾性係数に基づく。三種の異なる歪釣り合い条件を報告する。固定超格子周期厚み,固定InAs量子井戸および固定In_xGa_1-xSb_1-yN_y障壁厚みである。これらの構造の8個のバンドのk・pシミュレーションを用いて超格子ミニバンドエネルギーを計算する。GaSb基板に完全に格子整合したIn_xGa_1-xSb_1-yN_y/InAs超格子に対してはより長いカットオフ波長検出器のために必要なより低いミニバンドギャップ達成のために歪釣り合い条件を慎重に検討しなければならない。歪釣り合いしていないIn_xGa_1-xSb_1-yN_y/InAs超格子に対しては8μ」mの長波長カットオフを達成したがこれは歪の劣化効果とN取り込みによる障壁バンドギャップの低下のトレードオフの一部である。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： アンチモン化物 ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  基板 ,  *化合物半導体 ,  バンドギャップ ,  *ヒ化インジウム ,  量子井戸 ,  オフセット ,  ポテンシャル障壁 ,  格子定数 ,  弾性係数 ,  摂動論 ,  *遮断周波数 ,  *窒化物 ,  *ヘテロ接合 ,  *人工超格子 ,  アンチモン化ガリウム ,  *赤外検出器 ,  *歪層超格子 ,  格子不整合 ,  圧縮応力 ,  引張応力
準シソーラス用語： *k・p法

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (10件)： GaSb ,  希釈 ,  窒化物 ,  InAs ,  超格子 ,  バンドギャップ ,  歪 ,  釣合い ,  理論 ,  研究