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J-GLOBAL ID：201502272737345474   整理番号：15A0581171

u-InGaN/AlInGaN超格子最終量子障壁を持つInGaN発光ダイオードの効率増強

Efficiency enhancement of an InGaN light-emitting diode with a u-InGaN/AlInGaN superlattice last quantum barrier

著者 (6件)： ZENG Si-Ming (South China Normal Univ., Lab. of Nanophotonic Functional Materials and Devices, Inst. of Optoelectronic Materials ...) ,  ZENG Si-Ming (Guangdong Univ. of Technol., Experimental Teaching Center, 510006, Guangzhou, CHN) ,  FAN Guang-Han (South China Normal Univ., Lab. of Nanophotonic Functional Materials and Devices, Inst. of Optoelectronic Materials ...) ,  ZHENG Shu-Wen (South China Normal Univ., Lab. of Nanophotonic Functional Materials and Devices, Inst. of Optoelectronic Materials ...) ,  XIONG Jian-Yong (South China Normal Univ., Lab. of Nanophotonic Functional Materials and Devices, Inst. of Optoelectronic Materials ...) ,  ZHANG Tao (South China Normal Univ., Lab. of Nanophotonic Functional Materials and Devices, Inst. of Optoelectronic Materials ...)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 119  号： 3  ページ： 971-975  発行年： 2015年06月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,InGaN発光ダイオード(LED)の光学的性能を改善する目的で,最終量子障壁(LQB)に対する新しい設計を数値的に調べた。エネルギーバンド図,静電場,キャリア密度,キャリア電流密度,放射再結合速度などの解析を通じて,提案した非ドープInGaN/AlInGaN超格子(SL)LQBは出力パワー及び内部量子効率を著しく改善し得るとのシミュレーション結果を得た。これは主として正孔注入効率の改善及び電子電流漏れの抑制の成功に帰せられる。更に,最終障壁としてu-InGaN/AlInGaN-SLを用いることにより,LEDの効率垂下が僅かに改善される。Copyright 2015 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *インジウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *発光ダイオード ,  障壁 ,  シミュレーション ,  バンド構造 ,  キャリア密度 ,  キャリア再結合 ,  量子効率 ,  *アルミニウム化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *人工超格子 ,  キャリア注入 ,  閉込め
準シソーラス用語： 正孔注入 ,  *窒化インジウムガリウム ,  電子閉じ込め ,  内部量子効率

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： InGaN ,  超格子 ,  量子 ,  障壁 ,  発光ダイオード ,  増強