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J-GLOBAL ID:201502273114696426   整理番号:15A0532923

キャリアレート方程式に基づいた280nm AlGaN多重量子井戸発光ダイオードにおけるefficiency droopの分析

Analysis of efficiency droop in 280-nm AlGaN multiple-quantum-well light-emitting diodes based on carrier rate equation
著者 (4件):
資料名:
巻:号:ページ: 022104.1-022104.3  発行年: 2015年02月 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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キャリアレート方程式を使って,280nm AlGaN多重量子井戸(MQW)紫外(UV)発光ダイオード(LED)におけるefficiency droopを分析した。内部量子効率(ηIQE),注入効率(ηinj),光抽出効率(ηLEE),Schockley-Read-Hall再結合係数(A),及びAuger係数(C)を,理論的な放射再結合係数(B),実験測定した波長スペクトル,及び外部量子効率(ηEQE)を使ったキャリアレート方程式により決定できることを示した。これらの結果は,MQWからp-AlGaN層へのキャリア漏れ出しがefficiency droopの主要原因であることを示す。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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発光素子 

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