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J-GLOBAL ID：201502273630429663   整理番号：15A0718879

HgTeに基づいた単一量子井戸を用いたMIS構造の微分コンダクタンスと容量電圧特性

Differential conductance and capacity-voltage characteristics of MIS structures with single quantum wells based on HgTe

著者 (4件)： GORN Dmitry I. (National Res. Tomsk State Univ., Tomsk, RUS) ,  VOITSEKHOVSKII Alexander V. (National Res. Tomsk State Univ., Tomsk, RUS) ,  DZYADUKH Stanislav M. (National Res. Tomsk State Univ., Tomsk, RUS) ,  NESMELOV Sergey N. (National Res. Tomsk State Univ., Tomsk, RUS)
資料名： International Journal of Nanotechnology  (International Journal of Nanotechnology)
巻： 12  号： 3/4  ページ： 164-173  発行年： 2015年 
JST資料番号： A1346A  ISSN： 1475-7435  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： テルル化水銀 ,  *量子井戸 ,  化合物半導体 ,  *MIS構造 ,  *コンダクタンス ,  *容量電圧特性 ,  MBE成長 ,  ナノテクノロジー ,  ゆらぎ
準シソーラス用語： アドミタンス ,  コンダクタンス揺動 ,  *微分コンダクタンス

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： HgTe ,  単一量子井戸 ,  MIS構造 ,  微分コンダクタンス ,  容量電圧特性