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J-GLOBAL ID：201502273922350251   整理番号：15A0531497

シラン化合物修飾Siウエハ上のニッケル/リン層の焼なまししない接着性無電解析出

Annealing-free adhesive electroless deposition of a nickel/phosphorous layer on a silane-compound-modified Si wafer

著者 (5件)： WEI Tzu-Chien (Dep. of Chemical Engineering, National Tsing-Hua Univ., Hsin-Chu, Taiwan) ,  PAN Tseng-Chieh (Dep. of Chemical Engineering, National Tsing-Hua Univ., Hsin-Chu, Taiwan) ,  CHEN Chih-Ming (Dep. of Chemical Engineering, National Chung-Hsing Univ., Taichung, Taiwan) ,  LAI Kuei-Chang (Dep. of Chemical Engineering, National Chung-Hsing Univ., Taichung, Taiwan) ,  WU Chung-Han (R&D Dep., Gintech Energy Corp., Miaoli, Taiwan)
資料名： Electrochemistry Communications  (Electrochemistry Communications)
巻： 54  ページ： 6-9  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： W1133A  ISSN： 1388-2481  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この研究では,新規のポリビニルピロリドンでキャップしたパラジウムナノクラスタ(PVP-nPd)を触媒に用いた無電解析出プロセスにより,3-[2-(2-アミノエチルアミノ)エチルアミノ]プロピルトリメトキシシラン修飾(ETAS-修飾)ケイ素(Si)表面上に,ポストアニールの無い接着性ニッケル/リン(Ni/P)層を析出させた。ETASは共有結合的にSi表面上に結合し,一方,ETAS上のアミノ基はPVP-nPdクラスタ中のパラジウムコアと架橋した。上述の2つの影響のため,析出したNi/P層は従来の焼なまし処理を必要とせずにSiウエハ上で優れた接着性を示した。市販のSn/Pdコロイドを用いて,裸のSi表面,及びETAS修飾Si表面に析出させたNi/P膜と比較すると,ETAS修飾Siウエハ上のPVP-nPdにより触媒されたNi/P膜の接着性はそれぞれ,4倍と2倍に向上していた。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  ケイ素 ,  *ニッケルめっき ,  無電解めっき ,  *パラジウム触媒 ,  金属クラスタ ,  ポリビニルピロリドン ,  化学修飾 ,  *リン ,  共有結合 ,  架橋化合物 ,  *脂肪族アミン ,  *有機ケイ素化合物 ,  コロイド ,  ナノクラスタ ,  単分子層 ,  自己組織化 ,  シラン誘導体 ,  接着強さ ,  薄膜成長
準シソーラス用語： ケイ素ウエハ ,  自己集合単分子層 ,  無電解ニッケルめっき ,  有機シラン

分類 (4件)： 無電解めっき  (WC08024S) ,  有機けい素化合物  (CF08030C) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O) ,  貴金属触媒  (CB06122I)

物質索引 (1件)： N-[3-(トリメトキシシリル)プロピル]ジエチレントリアミン

タイトルに関連する用語 (8件)： シラン ,  修飾 ,  Siウエハ ,  ニッケル ,  リン ,  焼なまし ,  接着性 ,  無電解析出