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J-GLOBAL ID：201502274064749520   整理番号：15A0628092

選択的エピ除去を使ってGaNにモノリシックに集積したLEDとMOSチャネルHEMTの高温特性

High temperature characteristics of monolithically integrated LED and MOS-channel HEMT in GaN using selective epi removal

著者 (8件)： LI Z. (Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY, 12180, USA) ,  WALDRON J. (Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY, 12180, USA) ,  CHOWDHURY S. (Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY, 12180, USA) ,  ZHAO L. (Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY, 12180, USA) ,  DETCHPROHM T. (Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY, 12180, USA) ,  WETZEL C. (Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY, 12180, USA) ,  KARLICEK R. F. Jr. (Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY, 12180, USA) ,  CHOW T. P. (Rensselaer Polytechnic Inst., Troy, NY, 12180, USA)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 212  号： 5  ページ： 1110-1115  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,GaNにモノリシックに集積したLEDとMOSチャネルHEMTの高温特性を調べた。モノリシックに集積したLED/MOSC-HEMTは,選択的なエピ除去法を使って実現した。集積したLEDの光学・電気特性の温度依存性は離散GaN系LEDの場合とほぼ同じであることが分った。MOSC-HEMTのオン抵抗は,温度と共に徐々に高くなり(25°Cから225°Cまで~1.6倍高くなる),LED LOPは温度と共に急速に低下した(25°Cから225°Cまで~1/6に減少する)。集積LEDの光出力は225°CまでMOSC-HEMTゲートバイアスによって変調された。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 集積 ,  *発光ダイオード ,  MOS構造 ,  *HEMT ,  窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  バイアス ,  出力 ,  電流電圧特性 ,  エレクトロルミネセンス ,  層
準シソーラス用語： エピ層 ,  ゲートバイアス ,  *モノリシック集積 ,  光出力

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  集積 ,  LED ,  MOS ,  チャネル ,  HEMT ,  高温特性