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J-GLOBAL ID：201502274228956130   整理番号：15A0423701

高湿度下でのアモルファスインジウム-ガリウム酸化亜鉛薄膜トランジスタの安定性に与えるSiO₂とSiO₂/SiN_xパシベーションの効果

Effect of SiO₂ and SiO₂/SiN_x Passivation on the Stability of Amorphous Indium-Gallium Zinc-Oxide Thin-Film Transistors Under High Humidity

著者 (7件)： CHOWDHURY Delwar Hossain (Kyung Hee Univ., Seoul, KOR) ,  MATIVENGA Mallory (Kyung Hee Univ., Seoul, KOR) ,  UM Jae Gwang (Kyung Hee Univ., Seoul, KOR) ,  MRUTHYUNJAYA Ravi K. (Carestream Health Inc., NY, USA) ,  HEILER Gregory N. (Carestream Health Inc., NY, USA) ,  TREDWELL Timothy John (Carestream Health Inc., NY, USA) ,  JANG Jin (Kyung Hee Univ., Seoul, KOR)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 62  号： 3  ページ： 869-874  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 単層(SiO₂)と二層(SiO₂/SiN_xのパシベーションをしたa-IGZO TFTを80%の高湿度で環境安定性を調べた。30日間で全ての単層パシベートTFTは負のターンオン電圧シフト(ΔV_ON)を示し,その大きさは時間と共に増加した。負のΔV_ONは,SiO₂を通り抜けた水素/水分子の拡散によって活性IGZO内にドナーが生成されたためである。SiO₂パシベート構造のXPS深さプロファイルで酸素空孔濃度を調べると,初期にはIGZO/SiO₂界面の方がバルクIGZOよりも大きかったが30日高湿度保存後には減少していた。これは拡散した水素で酸素空孔がパシベートされたことで説明がつく。一方,全ての二層パシベートTFTは室温高湿度(80%)で良好な大気安定性を示した。

シソーラス用語： ガリウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  酸化インジウム ,  *薄膜トランジスタ ,  酸化物 ,  信頼性 ,  不動態化 ,  二酸化ケイ素 ,  窒化ケイ素 ,  湿度 ,  空格子点 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： *IGZO【半導体】 ,  TFT【トランジスタ】 ,  *パッシベーション ,  高湿度 ,  酸素空孔

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (9件)： 高湿度 ,  アモルファス ,  インジウム ,  ガリウム ,  酸化亜鉛薄膜 ,  トランジスタ ,  安定性 ,  SiO2 ,  パシベーション