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J-GLOBAL ID：201502274954948902   整理番号：15A0217763

化学溶液堆積法による優れた強誘電性を持つエピタキシャル(001)BiFeO₃薄膜-ゲル化の役割

Epitaxial (001) BiFeO₃ thin-films with excellent ferroelectric properties by chemical solution deposition-the role of gelation

著者 (3件)： ZHANG Qi (Univ. New South Wales, New South Wales, AUS) ,  VALANOOR Nagarajan (Univ. New South Wales, New South Wales, AUS) ,  STANDARD Owen (Univ. New South Wales, New South Wales, AUS)
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 3  号： 3  ページ： 582-595  発行年： 2015年01月21日 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高品位の(001)エピタキシャルBiFeO₃薄膜を化学溶液堆積法により製作するキーポイントはゲル化と溶媒の蒸発による塩の沈殿とを微妙にバランスさせて均質ゲルを得る点にある。予熱された(001)基板に前駆体のスピンコーティングを施し,少し加熱してゲルとして,その後に高温で薄膜として結晶化させた。La_0.67Sr_0.33MnO₃で緩衝化された(001)-SrTiO₃基板上に製作されたBiFeO₃薄膜はエピタキシーに加えて低い抗電場を持つ強誘電性を示した。BiとFeはの比は薄膜の前駆体では1:1の化学量論組成なので,過剰のBiを持つ前駆体で起こる複雑さは除かれている。薄膜は室温で高い残留分極と低い抗電場の四角形状のヒステリシスループを与えた。抗電場の周波数依存性からBiFeO₃薄膜中での核生成に支配されるドメインスイッチングが示された。

シソーラス用語： *溶液成長 ,  *強誘電性 ,  *薄膜 ,  *酸化ビスマス ,  *酸化鉄 ,  ゲル化 ,  均一性 ,  スピンコーティング ,  バッファ層 ,  エピタクシー ,  化学組成 ,  残留分極 ,  曲線 ,  核形成 ,  スイッチング ,  沈殿 ,  前駆体
準シソーラス用語： *エピタキシャル膜 ,  ドメインスイッチング ,  ヒステリシスループ ,  化学溶液堆積法 ,  化学量論組成 ,  核生成

分類 (3件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  物理化学一般その他  (CB01030T)

タイトルに関連する用語 (7件)： 化学溶液堆積法 ,  強誘電性 ,  エピタキシャル ,  BiFeO3 ,  薄膜 ,  ゲル化 ,  役割