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J-GLOBAL ID：201502275051311823   整理番号：15A0357944

原子的に薄いアルセネン及びアンチモネン 半金属-半導体及び間接-直接バンドギャップ遷移

Atomically Thin Arsenene and Antimonene: Semimetal-Semiconductor and Indirect-Direct Band-Gap Transitions

著者 (5件)： ZHANG Shengli (Inst. of Optoelectronics & Nanomaterials, Herbert Gleiter Inst. of Nanoscience, Coll. of Materials Sci. and ...) ,  YAN Zhong ,  LI Yafei ,  CHEN Zhongfang ,  ZENG Haibo
資料名： Angewandte Chemie. International Edition  (Angewandte Chemie. International Edition)
巻： 54  号： 10  ページ： 3112-3115  発行年： 2015年03月02日 
JST資料番号： H0127B  ISSN： 1433-7851  CODEN： ACIEAY  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 典型的な二次元(2D)半導体MoS₂,MoSe₂,WS₂,WSe₂及び黒リンはその特異な電子的,光学的,並びに化学的性質のため大きな興味を集めた。しかし,全ての2D半導体はこれまで2.0eVより小さい特徴バンドギャップを報告しており,これが特に青及びUV範囲に光応答をもつ光電子デバイスでその応用を大きく制約していた。広いバンドギャップと高い安定性をもつ新しい2Dモノ-元素半導体,すなわち単層アルセネン及びアンチモネン,を第一原理計算を基に開発した。興味深いことに,AsとSbはバルクでは典型的な半金属であるが,それらは単原子層まで薄くすると2.49及び2.28eVのバンドギャップをもつ間接半導体に変換する。小さい二軸歪下で,これらの材料が間接から直接バンドギャップ半導体へ変換したことは重要である。電子構造のこの大きい変化は高いオン/オフ比,青又はUV光下で働く光電子デバイス,及び新しい2D結晶を基とするメカニカルセンサ,への道を開くことができた。Copyright 2015 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *半金属 ,  *半導体 ,  *バンドギャップ ,  二次元 ,  *硫化モリブデン ,  *セレン化物 ,  *タングステン化合物 ,  *黒リン ,  応答 ,  固体素子 ,  安定性 ,  計算 ,  *単原子層 ,  *電子構造 ,  歪 ,  比率 ,  結晶 ,  センサ ,  密度汎関数法 ,  バンド構造
準シソーラス用語： オンオフ比 ,  *セレン化タングステン ,  二次元結晶 ,  二軸ひずみ ,  光応答 ,  光電子デバイス ,  第一原理計算 ,  電子帯構造 ,  *硫化タングステン

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  分子の電子構造  (BH05010Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子 ,  アルセネン ,  アンチモネン ,  半金属 ,  間接 ,  直接バンドギャップ ,  遷移