文献

J-GLOBAL ID：201502275242411348   整理番号：15A0109135

InP/GaPコア-シェル型ナノワイヤのウルツ鉱型GaPの選択領域MOVPEによる成長

Growth of wurtzite GaP in InP/GaP core-shell nanowires by selective-area MOVPE

著者 (5件)： ISHIZAKA Fumiya (Graduate School of Information Sci. and Technol., and Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) ...) ,  HIRAYA Yoshihiro (Graduate School of Information Sci. and Technol., and Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) ...) ,  TOMIOKA Katsuhiro (Graduate School of Information Sci. and Technol., and Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) ...) ,  TOMIOKA Katsuhiro (PRESTO, Japan Sci. and Technol. Agency (JST), Honcho Kawaguchi, Saitama 332-0012, JPN) ,  FUKUI Takashi (Graduate School of Information Sci. and Technol., and Res. Center for Integrated Quantum Electronics (RCIQE) ...)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 411  ページ： 71-75  発行年： 2015年02月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaPナノワイヤは,素子応用の観点から考えると有望である。というのは,結晶相が閃亜鉛鉱型(ZB)からウルツ鉱型(WZ)に転移すると,そのバンドギャップが間接型から直接型に変化するためである。WZ相のGaPは『緑色』発光の可能性を有していることが理論的に,および,実験的に明らかになっている。本論文では,InP/GaPコア-シェル型ナノワイヤのWZ InPの選択領域有機金属気相エピタキシー(SA-MOVPE)による成長について報告する。WZ InPナノワイヤは,WZ構造をGaPに転移させるためにテンプレートとして用いた。透過型電子顕微鏡法による結果から,WZ GaPは横方向の<-211>方向にInPコア側壁上に成長し,ZB GaPは<111>A方向にInPコア上面に成長することが明らかになった。GaPシェルの異なる結晶構造に対する成長モデルを,成長方向の観点から提案した。WZ構造は,GaPがInPコアのWZ積層方向に垂直な方向に成長するときのみ,InPコアからGaPシェルまで『転移』した。このいわゆる,『結晶構造転移』は,p型とn型ドープGaPにも適用でき,従って,WZ-GaP系発光ダイオードの作製に有望である。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *構造 ,  *リン化インジウム ,  *リン化ガリウム ,  化合物半導体 ,  *ウルツ鉱型結晶 ,  *MOCVD ,  半導体薄膜 ,  *ナノワイヤ ,  鋳型効果 ,  透過型電子顕微鏡 ,  数学モデル ,  発光ダイオード ,  相転移 ,  結晶構造 ,  結晶方位 ,  *コアシェル構造
準シソーラス用語： 選択領域MOVPE

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： InP ,  GAP ,  コア-シェル ,  ナノワイヤ ,  ウルツ鉱 ,  MOVPE ,  成長