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J-GLOBAL ID：201502275308648450   整理番号：15A0590245

HfO₂,HfO₂:AlおよびHfO₂:W薄膜の特性への基板温度の影響

Effects of substrate temperature on properties of HfO₂, HfO₂:Al and HfO₂:W films

著者 (3件)： LIN Su-Shia (Dep. of Applied Materials and Optoelectronic Engineering, National Chi Nan Univ., Puli, Nantou Hsien 54561, Taiwan ...) ,  LIAO Chung-Sheng (Dep. of Electrical Engineering, National Chi Nan Univ., Puli, Nantou Hsien 54561, Taiwan, R.O.C.) ,  FAN Sheng-You (Dep. of Applied Materials and Optoelectronic Engineering, National Chi Nan Univ., Puli, Nantou Hsien 54561, Taiwan ...)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 271  ページ： 269-275  発行年： 2015年06月15日 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： HfO₂のRFマグネトロンスパッタリングとAlもしくはWのDCマグネトロンスパッタリングを同時に行なってHfO₂薄膜をAl(HfO₂:Al)もしくはW(HfO₂:W)でドーピングした。XRD分析によると,基板温度が500°Cまで増加すると単斜晶のHfO₂薄膜と強い(<span style=text-decoration:overline>1</span>11)優先配向が得られた。Alのドーピングの後に500°Cの基板温度でAl₂O₃中の(300)優先配向ならびに単斜晶HfO₂,斜方晶HfO₂およびAl₂O₃の共存が得られた。基板温度の増加によってHfO₂:W薄膜中に単斜晶のHfO₂と正方晶のW₅O₁₄の共存が得られた。AlもしくはWのドーピングはHfO₂薄膜の疎水性を親水性に変えることができた。HfO₂:W薄膜はより高い基板温度でより良い親水性とより低い平均可視光線透過率を示した。親水性のHfO₂:Al薄膜はより低い基板温度で高い平均可視光線透過率とより高い線形屈折率を示し,光学的用途に好ましかった。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 基板 ,  ガラス ,  *酸化ハフニウム ,  *スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  *アルミニウム ,  *タングステン ,  *ドーピング ,  同時性 ,  酸化物 ,  *薄膜 ,  単斜晶系 ,  優先配向 ,  *基板温度 ,  斜方晶系 ,  正方晶系 ,  酸化アルミニウム ,  酸化タングステン ,  *親水性 ,  可視光 ,  *透過率 ,  *屈折率 ,  接触角
準シソーラス用語： DCマグネトロンスパッタリング ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  酸化物薄膜

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  光物性一般  (BM08010A) ,  固-液界面  (CB12050B)

タイトルに関連する用語 (4件)： HfO2 ,  Al ,  薄膜 ,  基板温度