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J-GLOBAL ID：201502275338134914   整理番号：15A0746006

制御した形状,サイズ,および配向を示すSiテンプレートの結晶化: ミクロ-およびナノ-基板に向けて

Crystallization of Si Templates of Controlled Shape, Size, and Orientation: Toward Micro- and Nanosubstrates

著者 (10件)： COHIN Yann (Surface du Verre et Interfaces, CNRS, Aubervilliers, FRA) ,  COHIN Yann (Lab. de Photonique et de Nanostructures, CNRS, Marcoussis, FRA) ,  GLAS Frank (Lab. de Photonique et de Nanostructures, CNRS, Marcoussis, FRA) ,  CATTONI Andrea (Lab. de Photonique et de Nanostructures, CNRS, Marcoussis, FRA) ,  BOUCHOULE Sophie (Lab. de Photonique et de Nanostructures, CNRS, Marcoussis, FRA) ,  MAUGUIN Olivia (Lab. de Photonique et de Nanostructures, CNRS, Marcoussis, FRA) ,  LARGEAU Ludovic (Lab. de Photonique et de Nanostructures, CNRS, Marcoussis, FRA) ,  PATRIARCHE Gilles (Lab. de Photonique et de Nanostructures, CNRS, Marcoussis, FRA) ,  SONDERGARD Elin (Surface du Verre et Interfaces, CNRS, Aubervilliers, FRA) ,  HARMAND Jean-Christophe (Lab. de Photonique et de Nanostructures, CNRS, Marcoussis, FRA)
資料名： Crystal Growth & Design  (Crystal Growth & Design)
巻： 15  号： 5  ページ： 2102-2109  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： W1323A  ISSN： 1528-7483  CODEN： CGDEFU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質Siのアルミニウム誘導結晶化(AIC)と多様なスケールのリゾグラフィーやイオンエッチングによるパターン化の間の適合性を研究した。これらの技術を結合すると,[111]配向のSi単結晶のプレートを作成できる。このような単結晶プレートには2つの限界がある。1)ナノパターン化プレート上のSi粒子の横サイズは~1μm以上に成長できない。2)エッチングパターンの周辺が欠ける。本研究では,非晶質Si基板上に孤立したSi領域をAICによって形成し,ナノスケールの形態およびサイズを制御したSi単結晶の形成を実証した。さらに完全な結晶化を得るために必要なアニール状態も予測した。これらの極薄な[111]配向単結晶は選択的領域エピタキシー基板として利用できる。

シソーラス用語： 二酸化ケイ素 ,  基板 ,  *アルミニウム ,  *ケイ素 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  非晶質 ,  積層構造 ,  ポリメタクリル酸メチル ,  スピンコーティング ,  *RIE【エッチング】 ,  誘導結合プラズマ ,  プラズマ加工 ,  結晶化 ,  *単結晶 ,  結晶方位 ,  パターン形成

分類 (2件)： 固-固界面  (CB12060M) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： サイズ ,  配向 ,  Si ,  テンプレート ,  結晶化