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J-GLOBAL ID:201502275365081563   整理番号:15A0598437

直流マグネトロンスパッタ法で堆積したガリウムドープ酸化亜鉛膜の構造,電気および光学特性に及ぼすインジウム添加および熱処理の影響

Influence of addition of indium and of post-annealing on structural, electrical and optical properties of gallium-doped zinc oxide thin films deposited by direct-current magnetron sputtering
著者 (8件):
資料名:
巻: 583  ページ: 201-204  発行年: 2015年05月29日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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直流マグネトロンスパッタを用いてアルゴン雰囲気中で,ガリウムドープ酸化亜鉛(GZO)薄膜およびインジウムとガリウムドープ酸化亜鉛(IGZO)薄膜を商用ガラス上に堆積させた。GZOおよびIGZOを堆積したままおよび堆積後熱処理した薄膜の結晶構造,電気伝導度および光透過率を,比較して調べた。GZO薄膜に導入した少量のインジウムは多結晶構造を改善し,導電率を29%以上増大させた。得られたすべてのGZOおよびIGZO薄膜は,ZnO薄膜特有の強い[002]結晶配向を有した。大気中で最大500°Cまで熱処理を施したが,IGZO膜は6.6Ω/□の非常に低いシート抵抗を維持した。さらに,可視および近赤外領域で80%以上の非常に高い光透過率を有した。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
酸化物薄膜  ,  半導体結晶の電気伝導  ,  光物性一般 

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