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J-GLOBAL ID：201502275637762760   整理番号：15A0506680

4H-SiC表面再結合速度における温度依存性の解析

著者 (4件)： 小濱公洋 (名古屋工大) ,  森祐人 (名古屋工大) ,  加藤正史 (名古屋工大) ,  市村正也 (名古屋工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 62nd  ページ： ROMBUNNO.12A-B4-7  発行年： 2015年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *速度 ,  温度依存性 ,  化合物半導体 ,  化学機械研磨 ,  キャリア寿命
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  *表面再結合速度

分類 (2件)： 光伝導,光起電力  (BM03050J) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (4件)： 4H-SiC ,  表面再結合速度 ,  温度依存性 ,  解析