研究者
J-GLOBAL ID：201101068182800988   更新日: 2023年11月10日

加藤 正史

カトウ マサシ | Kato Masashi
所属機関・部署：
名古屋工業大学 大学院 おもひ領域

名古屋工業大学 大学院 おもひ領域 について


職名： 教授
ホームページURL (1件)： http://ik-lab.web.nitech.ac.jp/
研究分野 (2件)： 電気電子材料工学 ,  電子デバイス、電子機器
研究キーワード (1件)： 半導体工学
競争的資金等の研究課題 (4件)：
  • 2010 - 現在 単結晶半導体を利用した人工光合成技術開発
  • 2000 - 現在 電気化学法による半導体の加工
  • 1997 - 現在 ワイドギャップ半導体の電気的評価と評価技術の開発
  • 2003 - 2017 アナログ集積回路による低消費電力、高速信号処理
論文 (116件)：
  • Masashi Kato, Yosuke Kato. Estimation of surface recombination velocities and bulk carrier lifetime for SrTiO3 using angle-lapped structures. Chemical Physics Letters. 2022. 805. 139955-1-139955-3
  • Shunta Harada, Toshiki Mii, Hitoshi Sakane, Masashi Kato. Suppression of stacking fault expansion in a 4H-SiC epitaxial layer by proton irradiation. Scientific Reports. 2022. 12. 1. 13542
  • Masashi Kato, Takuto Maeda, Kenji Ito, Kazuyoshi Tomita, Tetsuo Narita, Tetsu Kachi. Relationship of carbon concentration and slow decays of photoluminescence in homoepitaxial n-type GaN layers. Japanese Journal of Applied Physics. 2022. 61. 078004-1-078004-4
  • Masashi Kato, Jing Di, Yutaro Ohkouchi, Taisuke Mizuno, Masaya Ichimura, Kazutoshi Kojima. Hole capture cross section of the Al acceptor level in 4H-SiC. Materials Today Communications. 2022. 31. 103648-1-103648-3
  • Kotaro Ishiji, Masashi Kato, Ryuichi Sugie. Characterization of Defect Structure in Epilayer Grown on On-Axis SiC by Synchrotron X-ray Topography. Journal of Electronic Materials. 2022. 51. 4. 1541-1547
もっと見る
MISC (8件)：
もっと見る
特許 (21件)：
  • 炭化珪素半導体装置
  • 前庭刺激装置、めまい治療装置、健康促進装置
  • 高変換効率SiC光電極およびそれを用いた水素製造装置
  • 高変換効率SiC光電極およびそれを用いた水素製造装置
  • 高変換効率SiC光電極およびそれを用いた水素製造装置
もっと見る
書籍 (4件)：
  • 次世代パワー半導体の開発・評価と実用化
    (株)エヌ・ティー・エス 2022
  • 薄膜の評価技術ハンドブック
    株式会社テクノシステム 2013
  • SiCパワーデバイスの開発と最新動向 -普及に向けたデバイスプロセスと実装技術-
    S&T出版 2012 ISBN:9784907002060
  • SiCパワーデバイス最新技術 =次世代パワーエレクトロニクス=
    サイエンス&テクノロジー株式会社 2010 ISBN:9784903413846
講演・口頭発表等 (241件)：
  • ThA1-3 Single Crystal Photocatalytic Oxides: Carrier Recombination and Solar-to-hydrogen Conversion
    (9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces 2022)
  • [Th2-2] Discussion on carrier lifetime control in a drift layer of 1.2 kV class 4H-SiC devices for suppression of bipolar degradation
    (19th International Conference on Defects-Recognition, Imaging and Physics in Semiconductors 2022)
  • 22p-E106-8 局在表面プラズモン共鳴を有するTiO2におけるキャリア再結合
    (第69回応用物理学会春季学術講演会 2022)
  • 23p-E204-8 斜め研磨構造を利用したSrTiO3表面再結合速度の高精度評価
    (第69回応用物理学会春季学術講演会 2022)
  • Effects of defects created by ion implantation on SiC devices
    (第4回材料科学フロンティア研究院国際シンポジウム ~材料科学における融合研究~ 2022)
もっと見る
学歴 (2件)：
  • - 2000 名古屋工業大学 工学研究科 電気情報工学専攻
  • - 1998 名古屋工業大学 工学部 電気情報工学科
学位 (2件)：
  • 博士(工学) (名古屋工業大学)
  • Doctor (Engineering) (Nagoya Institute of Technology)
経歴 (5件)：
  • 2003/04/01 - 現在 名古屋工業大学 大学院 おもひ領域 准教授
  • 2016/07/01 - 2021/03/31 名古屋大学 未来材料・システム研究所附属未来エレクトロニクス集積研究センター 客員准教授
  • 2010/08/23 - 2010/09/17 ヴィリニュス大学 研究員
  • 2009/08/18 - 2009/10/02 ヴィリニュス大学 研究員
  • 2008/08/19 - 2008/10/02 ヴィリニュス大学 研究員
委員歴 (12件)：
  • 2017/04 - 現在 応用物理学会 学術講演会プログラム委員
  • 2022/01 - 2022/12 応用物理学会 先進パワー半導体分科会第9回講演会プログラム委員長
  • 2022/08/01 - 2022/09/30 応用物理学会 応用物理学会 2023年国際固体素子・材料コンファレンス実行委員
  • 2016/04/01 - 2020/03/31 応用物理学会 先進パワー半導体分科会幹事
  • 2011/07/01 - 2020/03/31 自動車技術会 自動車技術会 車載用パワーエレクトロニクス技術部門委員会 委員
全件表示
受賞 (7件)：
  • 2021/03/16 - 永井科学技術財団 永井技術賞 SiC単結晶内の電気伝導キャリアの評価および制御技術開発
  • 2021 - IOP Publishing Japanese Journal of Applied Physics: 2020 Reviewer Awards
  • 2014/10/21 - MRS-J the Award for Encouragement of Research in IUMRS-ICA2014
  • 2014/04/15 - 文部科学省 文部科学大臣表彰科学技術賞(理解増進部門)
  • 2010/06/19 - 財団法人安藤研究所 安藤博記念学術奨励賞
全件表示
所属学会 (3件)：
自動車技術会 ,  電子情報通信学会 ,  応用物理学会
※　J-GLOBALの研究者情報は、researchmapの登録情報に基づき表示しています。 登録・更新については、こちらをご覧ください。

前のページに戻る

TOP

BOTTOM