研究者
J-GLOBAL ID：201101068182800988   更新日: 2024年11月20日

加藤 正史

カトウ マサシ | Kato Masashi
所属機関・部署：
名古屋工業大学 大学院 おもひ領域

名古屋工業大学 大学院 おもひ領域 について


職名： 教授
ホームページURL (1件)： http://ik-lab.web.nitech.ac.jp/
研究分野 (2件)： 電気電子材料工学 ,  電子デバイス、電子機器
研究キーワード (1件)： 半導体工学
競争的資金等の研究課題 (4件)：
  • 2010 - 現在 単結晶半導体を利用した人工光合成技術開発
  • 2000 - 現在 電気化学法による半導体の加工
  • 1997 - 現在 ワイドギャップ半導体の電気的評価と評価技術の開発
  • 2003 - 2017 アナログ集積回路による低消費電力、高速信号処理
論文 (139件)：
  • Tong Li, Hitoshi Sakane, Shunta Harada, Masashi Kato. Suppression of stacking-fault expansion in 4H-SiC diodes by helium implantation. Applied Physics Express. 2024. 17. 086503-1-086503-4
  • Endong Zhang, Christoph J Brabec, Masashi Kato. Analysis of defects dominating carrier recombination in CeO2 single crystal for photocatalytic applications. Journal of Physics D: Applied Physics. 2024. 57. 305104-1-305104-7
  • Manuel Belanche, Yoshiyuki Yonezawa, Rene Heller, Arnold Muller, Christof Vockenhuber, Corinna Martinella, Michael Rub, Masashi Kato, Koichi Murata, Hidekazu Tsuchida, et al. Aluminum channeling in 4H-SiC by high-energy implantation above 10 MeV. Materials Science in Semiconductor Processing. 2024. 179. 108461-1-108461-8
  • Hiroki Imabayashi, Hitose Sawazaki, Haruto Yoshimura, Masashi Kato, Kenji Shiojima. Photoelectrical characterization of heavily doped p-SiC Schottky contacts. Japanese Journal of Applied Physics. 2024. 63. 4. 04SP71-1-04SP71-6
  • Masashi Kato, Ohga Watanabe, Shunta Harada, Hitoshi Sakane. Effects of proton implantation into 4H-SiC substrate: Stacking faults in epilayer on the substrate. Materials Science in Semiconductor Processing. 2024. 175. 108264-1-108264-5
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MISC (8件)：
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特許 (22件)：
  • 半導体装置および半導体装置の製造方法
  • 炭化珪素半導体装置
  • 前庭刺激装置、めまい治療装置、健康促進装置
  • 高変換効率SiC光電極およびそれを用いた水素製造装置
  • 高変換効率SiC光電極およびそれを用いた水素製造装置
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書籍 (4件)：
  • 次世代パワー半導体の開発・評価と実用化
    (株)エヌ・ティー・エス 2022
  • 薄膜の評価技術ハンドブック
    株式会社テクノシステム 2013
  • SiCパワーデバイスの開発と最新動向 -普及に向けたデバイスプロセスと実装技術-
    S&T出版 2012 ISBN:9784907002060
  • SiCパワーデバイス最新技術 =次世代パワーエレクトロニクス=
    サイエンス&テクノロジー株式会社 2010 ISBN:9784903413846
講演・口頭発表等 (297件)：
  • Charge carrier recombination in TiO2 and SrTiO3 single crystals: impact of CoOx cocatalyst loading
    (the 35th International Photovoltaic Science and Engineering Conference (PVSEC-35) 2024)
  • Technologies to Suppress Stacking Fault Expansion in SiC Devices: Stacking Fault Knockdown by High Energy Ion Implantation (SF-KHII) M
    (The 11th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors 2024)
  • Suppression of stacking-fault expansion in 4H-SiC diodes by helium implantation
    (INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024 2024)
  • Demonstration of Suppressing 1SSF Expansion Using Energy Filtered Ion Implantation
    (INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024 2024)
  • Controlled domain in 3C-SiC epitaxial growth on off-oriented 4H-SiC substrate for water splitting
    (INTERNATIONAL CONFERENCE ON SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2024 2024)
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学歴 (2件)：
  • - 2000 名古屋工業大学 工学研究科 電気情報工学専攻
  • - 1998 名古屋工業大学 工学部 電気情報工学科
学位 (2件)：
  • 博士(工学) (名古屋工業大学)
  • Doctor (Engineering) (Nagoya Institute of Technology)
経歴 (7件)：
  • 2023/04 - 現在 名古屋工業大学 大学院 おもひ領域 教授
  • 2004/04 - 2023/03 名古屋工業大学 大学院 おもひ領域 准教授
  • 2016/07/01 - 2021/03/31 名古屋大学 未来材料・システム研究所附属未来エレクトロニクス集積研究センター 客員准教授
  • 2010/08/23 - 2010/09/17 ヴィリニュス大学 研究員
  • 2009/08/18 - 2009/10/02 ヴィリニュス大学 研究員
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委員歴 (23件)：
  • 2024/04 - 現在 中部エレクトロニクス振興会 顧問
  • 2024/08 - 2029/09 ICSCRM2026組織委員会 ICSCRM2026組織委員会 委員
  • 2025/01 - 2025/12 SSDM2025 Technical Program Committee: Area4 Vice-chair
  • 2025/01 - 2025/12 ICSCRM2025 Technical Program Committee
  • 2024/06 - 2025/05 ISPlasma 2025/IC-PLANTS2025 programming committee Vice chair
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受賞 (7件)：
  • 2021/03/16 - 永井科学技術財団 永井技術賞 SiC単結晶内の電気伝導キャリアの評価および制御技術開発
  • 2021 - IOP Publishing Japanese Journal of Applied Physics: 2020 Reviewer Awards
  • 2014/10/21 - MRS-J the Award for Encouragement of Research in IUMRS-ICA2014
  • 2014/04/15 - 文部科学省 文部科学大臣表彰科学技術賞(理解増進部門)
  • 2010/06/19 - 財団法人安藤研究所 安藤博記念学術奨励賞
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所属学会 (3件)：
自動車技術会 ,  電子情報通信学会 ,  応用物理学会
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