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J-GLOBAL ID：201502275785607099   整理番号：15A0497554

NiCuZnフェライトのDCバイアス重合せ特性に及ぼすSiO₂濃度の影響

Effects of SiO₂ concentration on the DC-bias-superposition characteristics of the NiCuZn ferrites

著者 (5件)： HUAN Li (Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China, State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices ...) ,  TANG Xiaoli (Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China, State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices ...) ,  SU Hua (Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China, State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices ...) ,  ZHANG Huaiwu (Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China, State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices ...) ,  JING Yulan (Univ. of Electronic Sci. and Technol. of China, State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices ...)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 26  号： 5  ページ： 3275-3281  発行年： 2015年05月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 磁性部品用低温焼成NiCuZnフェライトの直流バイアス重合せ特性を調べた。様々な量のSiO₂添加NiCuZnフェライト(A:低透磁率,B:高透磁率)を従来手法により作製した。AとBの全てのXRDパターンは単一スピネル相を示した。SiO₂添加量が0.35重量%迄の試料ではSiO₂含有量を増すと粒径と焼成密度は増加した。Aの透磁率は0.75重量%添加Bのそれと類似であった。厚い非磁性粒界と高い磁化に起因してBはより良好な直流バイアス重合せ特性を示した。高い重合せ磁場の下での増分透磁率の低下率はSiO₂量の多いBが緩やかであり,より良好な直流バイアス重合せ特性を示した。Copyright 2015 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *フェライト ,  *ニッケル化合物 ,  *銅化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  電圧 ,  *直流 ,  *重合せ ,  二酸化ケイ素 ,  添加物効果 ,  濃度依存性 ,  焼成 ,  X線回折 ,  スピネル ,  粒径 ,  密度 ,  *透磁率 ,  電子顕微鏡観察 ,  *磁気的性質 ,  構造解析 ,  磁性部品
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  走査型電子顕微鏡法 ,  低温焼成

分類 (1件)： 磁性材料  (NA04040H)

タイトルに関連する用語 (5件)： フェライト ,  DC ,  バイアス ,  重合せ ,  SiO2