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J-GLOBAL ID：201502275889508149   整理番号：15A0682367

65nmバルクCMOSで3.3dB損失と23.7dB分離による130-180GHz0.0035mm²SPDTスイッチ

A 130-to-180GHz 0.0035mm² SPDT Switch with 3.3dB Loss and 23.7dB Isolation in 65nm Bulk CMOS

著者 (4件)： MENG Fanyi (Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP) ,  MA Kaixue (Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP) ,  YEO Kiat Seng (Nanyang Technological Univ., Singapore, SGP) ,  YEO Kiat Seng (Singapore Univ. Technol. and Design, Singapore, SGP)
資料名： Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference  (Digest of Technical Papers. IEEE International Solid-State Circuits Conference)
巻： 2015  ページ： 34-35,35(1)  発行年： 2015年 
JST資料番号： D0753A  ISSN： 0193-6530  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *CMOS構造 ,  *スイッチ ,  *送受信機 ,  *双方向通信 ,  *時分割交換 ,  イメージセンサ ,  *挿入損 ,  SOI構造 ,  半導体材料 ,  HBT【トランジスタ】 ,  モデル ,  信号解析 ,  減衰特性 ,  信号処理
準シソーラス用語： *SPDTスイッチ ,  TDD【通信】 ,  SiGe ,  小信号モデル ,  リターンロス ,  信号分離

分類 (2件)： その他の伝送回路素子  (NC04070U) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (3件)： バルク ,  CMOS ,  損失